sf 818 d
Abstract: NPN 337 SU 179 sf 819 d SF 127 Funkamateur SMD NF sf 118 d sd 339 NF 847 G
Text: IC, ICsat [mA, A ] 600 -100 -100 -100 -100 100 100 100 100 100 100 -100 -100 -100 100 100 100 -100 -100 -100 (1) (-1) (1) (-1) (1) (-1) (3) (1,5) (-1,5) (1,5) (-1,5) (1,5) (-1,5) * [MHz] ≥ 250 90 90 90 90 ≥ 300 ≥ 300 145 145 161 175 350 350 350 185
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SMD transistor MARK DAR
Abstract: in-process quality inspections Pharmaceuticals Product TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM MP 1008 es semiconductors cross index Microwave GaAs FET catalogue gate turn off thyristors TRANSISTOR SMD MARKING CODE 8D SMD Schottky Dioden transistor pnp a110
Text: Einzelhalbleiter Small-Signal Semiconductors Qualitätsmanagement, Qualität und Zuverlässigkeit Quality Management, Quality and Reliability Themenschrift 07.96 Special-Subject Brochure 07.96 Vorwort Preface Der Geschäftszweig Einzelhalbleiter im Unternehmensbereich Halbleiter entwickelt, fertigt und vertreibt ein breites
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relais datenbuch siemens
Abstract: B84115-E-B60 B84113-C-B30 B82111-E-C25 B84112-B-B120 rittalwerk siemens ferrit core Siemens ferrit B84299-K21-E B85321A2405A630
Text: EMV-Bauelemente für Netzanwendungen EMC Components for Power Line Applications Lieferprogramm 2002 / Short Form Catalog 2002 http://www.epcos.com Vorwort Preview Wenn es darum geht, die elektromagnetische Verträglichkeit EMV sicherzustellen, sind EMV-Bauelemente unverzichtbare Schlüsselkomponenten! Dieses Lieferprogramm
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filters
Abstract: epcos 565-2 b82722 epcos 565-2 b82725 epcos 565-2 B82721 epcos 565-2 B84299-C B84263-A23-E13 b81121 EPCOS epcos 565-2 b82724 SIEMENS 565-2
Text: Designing the Future Weil viele unterschiedliche elektronische und elektrische Geräte und Anlagen gleichzeitig betrieben werden, sind hohe Anforderungen an ihre Elektromagnetische Verträglichkeit EMV zu stellen. Seit 1.1.1996 gelten mit der EGRichtlinie verbindliche EMV-Schutzziele.
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B1274 transistor
Abstract: b1274 B1273 transistor B1273 transistor b1274 a1273 B82732-R2142-A30 a1273 transistor B81121 a1273 y transistor
Text: Designing the Future Weil viele unterschiedliche elektronische und elektrische Geräte und Anlagen gleichzeitig betrieben werden, sind hohe Anforderungen an ihre Elektromagnetische Verträglichkeit EMV zu stellen. Seit 1.1.1996 gelten mit der EGRichtlinie verbindliche EMV-Schutzziele.
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B82508-B-B6
Abstract: matsushita aluminium capacitors B81133 X2 mkt b81130 x2 siemens ferrit core CHOKE B78108-S1273-K SIEMENS 565-2 B82442 Siemens B81130 B82723 Siemens
Text: Designing the Future Weil viele unterschiedliche elektronische und elektrische Geräte und Anlagen gleichzeitig betrieben werden, sind hohe Anforderungen an ihre Elektromagnetische Verträglichkeit EMV zu stellen. Seit 1.1.1996 gelten mit der EGRichtlinie verbindliche EMV-Schutzziele.
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SAS 251
Abstract: 4580d tda 2022 Tda 865 TDA 7650 CPA 7660 cmo 765 TAA 2761 A TCA4510 TAA761A
Text: 1:UNKAMATEUR-Bauelementeinformation IS Vergleichslisten für integrierte Schaltkreise DDR/international IS für den Einsatz in Rundfunkempfängern und Recordern DDR-Typ Vergleichstyp Beschreibung DDR-Typ Vergleichstyp Beschreibung A 202 D A 22SD A 244 D/SD
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A225D
1310P
1524D
A273D
1818D
A274D
A4100D
A277D
TJAAI80)
A4510D
SAS 251
4580d
tda 2022
Tda 865
TDA 7650
CPA 7660
cmo 765
TAA 2761 A
TCA4510
TAA761A
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b589n
Abstract: B511N information applikation b589 mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik B589nm "Mikroelektronik" Heft aktive elektronische bauelemente ddr applikation heft
Text: r r j f c n B e le l- f t e n o n f l- t Information Applikation raeo [ n n f l k l n i B ] B l B | < t i n a r * < Information Applikation HEÏI 4 4 : B 5 1 1 N Twnperatur-Sensor-IS B 5 8 9 I Bandgap-Referenzepannungaguelle m KAMMER OER TECHNIK Ebvftuu traft« 2, Frankfurt (Od*r
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: aktive elektronische bauelemente ddr SMY50 smy 51 Transistoren DDR information applikation elektronik DDR SMY52 ddr veb aktive elektronische
Text: eiecrronic M O S - Feldeffekttransistoren APPLIKATIONSBEISPIELE Änderungen, die den technischen Fortschritt dokumentieren, sind Vorbehalten. Kür die aufgefiihrten Schaltungen wird keine Gewähr bezüglich Patentfreiheit übernommen. Nachdruck, auch auszugsweise, Ist
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DDR-501
Halbleiterbauelemente DDR
aktive elektronische bauelemente ddr
SMY50
smy 51
Transistoren DDR
information applikation
elektronik DDR
SMY52
ddr veb
aktive elektronische
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rft katalog
Abstract: transistor vergleichsliste dl 8205 VEB mikroelektronik mikroelektronik RFT "halbleiterwerk frankfurt" DL074D katalog rft TRANSISTOR KATALOG rft mikroelektronik
Text: [fin ] D[k ä rä fs J E I S l n b r 1! Bipolare digitale Schaltkreise Low -Pow er-S chottky-TTL S c h o ttky -T T L -In te rfa c e -S e rie n il- c Bipolare digitale Schaltkreise Low-Power-Schottky-TTL Sch ott ky-TTL-l nterf a ce-Se r ie Vorwort Der vorliegende Katalog ist vor allem für Konstrukteure und Geräteentwickler
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BY236
Abstract: BY235 d25n12 PBY285 KD202A D237A D223B diode drr204 Diode D25N4 PBY267
Text: a m a t e u m Lars Grallert Diodenvergleichsliste p e U ie 247 electrónica •Band 247 LA R S G R A L L E R T Diodenvergleichsliste M ILITÄ R V E R L A G D ER D EU TSCH EN D EM OKRATISCH EN R EP U B L IK G r a lle r t, L . : D io d e n v e rg le ic h s liste . B e r lin : M ilitä rv e rla g d e r D D R V E B , 1 9 9 0 . 112 S ., 127 B ild e r - ( e le c tr ó n ic a 2 4 7 )
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B084D
Abstract: DL074D 74LS74N transistor vergleichsliste TRANSISTOR 132D VEB mikroelektronik schlenzig B4761D B761D B176D
Text: Neue Halbleiterbauelemente KLAUS SCHLENZIG/ DIETER JUNG Operations verstärker LowPower- SchottkyReihe KLAUS SCHLENZIG/DIETER JUNG Neue Halbleiter bauelemente Operationsverstärker und Low-Power-Schottky-Reihe Militärverlag der D eutschen Demokratischen
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Relais ITT
Abstract: DIODE 5TE elektronik DDR bauelemente DDR VEB M ik ro e le k tro n ik VEB Kombinat Transistoren DDR TRANSISTOR KATALOG translog Kombinat VEB A 281
Text: KOMBINAT VEB ELEKTRO- APPARATE - WERKE BERLIN-TREPTOW O ursalog G Digitale Bausteine M odul 20 In h a ltsverzeich n is Seite Allgemeine Übersicht Konstruktiver und funktioneller Aufbau Systemparameter Zusammenschaltregeln Betriebsdaten ursamat Gefäßsystem
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EEL52F
Relais ITT
DIODE 5TE
elektronik DDR
bauelemente DDR
VEB M ik ro e le k tro n ik
VEB Kombinat
Transistoren DDR
TRANSISTOR KATALOG
translog
Kombinat VEB A 281
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YD 1102
Abstract: valvo handbuch rohren VALVO Handbuch Stun gun PENTODE pl 508 ABB GES 9 515 valvo handbuch rohren Geiger-muller triode rs 3060 cl
Text: VALVD HANDBUCH Sende- und M ikro wellenröhren, Mikrowellenbauteile 1 Id W e ite re S p e z ia lrö h r e n m it d e m e n tsp re ch e n d e n Z u b e h ö r find e n Sie in den fo lg e n d e n V A L V O - H a n d b ü c h e r n : S p e z ia l-V e rs tä rk e rrö h re n
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B083D
Abstract: u82720 A110D TDA4100 ub8830d V40511D taa981 A109D sy 710 IC 7447
Text: > i ! U O i j q > i a | a S [ ^ ] 0 [ y y H erstellerbetriebe Bei den einzelnen Erzeugnissen werden die Herstellerbetriebe durch die nachfolgend angegebenen Symbole gekennzeichnet: VEB M ik ro e le k tro n ik „K a rl M a r x “ Erfurt L e itb e tr ie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tr o n ik
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