MMBTA05
Abstract: MMBTA06 MMBTA55 MMBTA56
Text: MMBTA55 . MMBTA56 MMBTA55 . MMBTA56 General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz PNP PNP Version 2006-08-09 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 1.1 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse
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Original
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MMBTA55
MMBTA56
OT-23
O-236)
UL94V-0
MMBTA05,
MMBTA05
MMBTA06
MMBTA55
MMBTA56
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Thyristor Tabelle
Abstract: 74ACT11244 SN74ABT16501 SN74ABT244 induktiv schaltungen mit cmos cmosschaltungen
Text: EB200 Widebus-Bustreiber EB200 Widebus-Bustreiber Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 22.05.1991 Überarbeitet Januar 1996 Rev.: A 1 Applikationslabor EB200 Widebus-Bustreiber Der Trend zu 16- und 32-Bit breiten Bussystemen in Verbindung mit kontinuierlichen
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EB200
32-Bit
Thyristor Tabelle
74ACT11244
SN74ABT16501
SN74ABT244
induktiv
schaltungen mit cmos
cmosschaltungen
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Quarzoszillator
Abstract: leistungstransistoren schaltungen 1N4001 SN74ALS138 SN74BCT2414 SN74HC138 SN74HCT138 TIP32 TL7705A
Text: EB181A Datensicherung EB181A Datensicherung in batteriegepufferten Speichern mit dem Dekoder SN74BCT2414 Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 27.07.1988 Rev.: A Überarbeitet: 13.10.1995 1 Applikationslabor EB181A Datensicherung Dieser Bericht beschreibt die Funktion und Anwendung des Dekoders SN74BCT2414, der
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EB181A
SN74BCT2414
SN74BCT2414,
SN74BCT2414.
Quarzoszillator
leistungstransistoren
schaltungen
1N4001
SN74ALS138
SN74BCT2414
SN74HC138
SN74HCT138
TIP32
TL7705A
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BCV26
Abstract: BCV27 BCV46 BCV47
Text: BCV26, BCV46 PNP Darlington Transistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage PNP Version 2004-01-20 Power dissipation – Verlustleistung Plastic case Kunststoffgehäuse 1.1 2.9 ±0.1 0.4
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BCV26,
BCV46
OT-23
O-236)
UL94V-0
BCV26
BCV27,
BCV47
BCV26
BCV27
BCV46
BCV47
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TRANSISTOR 132-gd
Abstract: TRANSISTORS 132 GD equivalent io transistor 131-G bbc ds diodes DS 1,8 transistor vergleichsliste aeg diode Si 61 L AF124 Transistor Vergleichsliste DDR OC1044 bbc ds diodes
Text: Vergleichsliste Halbleiter Bauelemente In h a lt: Einleitung Typenbezeichnung und Form elzeichen G e g e n ü b e r s t e ll u n g n a c h A l p h a b e t : T ransistoren G leichrichterdioden Leistungs-Zenerdioden V e rg le ic h nach T y p e n g ru p p e n
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06o3H
TRANSISTOR 132-gd
TRANSISTORS 132 GD
equivalent io transistor 131-G
bbc ds diodes DS 1,8
transistor vergleichsliste
aeg diode Si 61 L
AF124
Transistor Vergleichsliste DDR
OC1044
bbc ds diodes
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b589n
Abstract: B511N information applikation b589 mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik B589nm "Mikroelektronik" Heft aktive elektronische bauelemente ddr applikation heft
Text: r r j f c n B e le l- f t e n o n f l- t Information Applikation raeo [ n n f l k l n i B ] B l B | < t i n a r * < Information Applikation HEÏI 4 4 : B 5 1 1 N Twnperatur-Sensor-IS B 5 8 9 I Bandgap-Referenzepannungaguelle m KAMMER OER TECHNIK Ebvftuu traft« 2, Frankfurt (Od*r
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UEI 20 SP 010
Abstract: Datenblattsammlung u82720 mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik UB8820M "halbleiterwerk frankfurt" UEI 15 SP 020 Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2 B4207D
Text: e l e k t r o m k - b a u e ì e m e n t e * W UKaÊÊi I Ä I L I I m V w •1 vît M •'4 n, ' I ill ■ DATEN BLATTSAMM LU NG elektronische bauelemente ?: V' I j| D A I Ï K B L A U S A MML ÜHG "E lektronische Bauelemente1' Ausgabe 1/89 14 : "Neue und weiterentwiekelte Bauelemente sowie ausgewählte Importbauelemente"
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64-KBit-Sehreib--Iese-Speicher
086/11/B9
UEI 20 SP 010
Datenblattsammlung
u82720
mikroelektronik datenblattsammlung
VEB mikroelektronik
UB8820M
"halbleiterwerk frankfurt"
UEI 15 SP 020
Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2
B4207D
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ku 606
Abstract: KT808AM transistor d 808 transistor kt transistor 805A 2110-B1 KT 805 RFT Transistoren KT808 2107B-2
Text: SERVICE-M ITTEILUNGEN VEB IN D U S T R IE V E R T R IE 8 R U N D F U N K U N D F E R N S EH EN ra d io -television AUSGABE: SEITE 1-4 DATUM: 3.84 Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig / SI E I H B A U A N L E I T Ü H G für den äquivalenten ?DE-Steckbaustein mit Transistor, der die Rohre 6 Sch 5 P in den Sü-Paxbfernseh^eraten RADUGA 726/730 ersetzt«
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05A-K
KT808
ku 606
KT808AM
transistor d 808
transistor kt
transistor 805A
2110-B1
KT 805
RFT Transistoren
2107B-2
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"halbleiterwerk frankfurt"
Abstract: VEB mikroelektronik A220D mikroelektronik RFT rft mikroelektronik bauelemente Kombinat VEB Kombinat Scans-048 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt
Text: A 220 D M onolithisch integrierter FM - ZF - V erstärker und D em odulator vorzugsw eise fü r den Einsatz Im Ton - ZF - Teil von Fernseh geräten und als FM - ZF - V erstärker in R undfunkgeräten. Der S chaltkreis enthält einen sym m etrischen B reitbandverstär
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technische Daten SFE 235
Abstract: Scans-048 sfe235 DSAGER00059
Text: WWT SFE 235 Vorläufige technische Daten Silizium-npn—Epitaxie-Pl anar-Transistor im hybridgerechten Minlaturplastgehau.se für den Einsatz als HF-Verstärker in Basisschaltung FOOA8BO Massei -<0,02 g Grenzwerte« gültig für den Betriebetemperatarbereich
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140/2/B1
technische Daten SFE 235
Scans-048
sfe235
DSAGER00059
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B083D
Abstract: u82720 A110D TDA4100 ub8830d V40511D taa981 A109D sy 710 IC 7447
Text: > i ! U O i j q > i a | a S [ ^ ] 0 [ y y H erstellerbetriebe Bei den einzelnen Erzeugnissen werden die Herstellerbetriebe durch die nachfolgend angegebenen Symbole gekennzeichnet: VEB M ik ro e le k tro n ik „K a rl M a r x “ Erfurt L e itb e tr ie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tr o n ik
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74S487
Abstract: information applikation cdb 4121 e CDB 447 FZH 195 mh 3212 applikation heft 74LS125N MH 74141 FZH195
Text: m ô D ^ n iœ lo M s n a n ilK Information Applikation INTERFACE SCHALTUNGEN RGW mit internationaler Typen übersicht ¿ kH KKÄÄÄÄAZJ, r in iO lk r t^ B lo lK b n a in H K I Information Applikation H a f t I N T E E F A C E E 4 8 » - S C G H A L T U N G E N
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transistor vergleichsliste
Abstract: Transistor Vergleichsliste DDR telefunken transistoren VALVO BSW69 vergleichsliste DDR vergleichsliste transistor BC-148 rft transistoren Transistoren DDR
Text: TRANSISTOR VERGLEICHSLISTE Teil 2: Siliziumtransistoren r a d io - t e le v is io n Transistorverglèich& liste T eil 2 : S iliziu in tra n sistoren TRA N SISTO R, V ER G LEICH S LIS T E Teil 2: Siliziumtransistoren DER D EU TSCH EN M IL IT Ä R V E R L A G
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ITT transistoren
Abstract: nf schaltungen Schaltungen TDA4605-3 S910N diode sg 5 ts bus08a BD139 25EK ITT bzx 85
Text: S IE M E N S ICs für die Unterhaltungs elektronik SNTs Ausgabe 5.86 S IE M E N S ICs für die Unterhaltungselektronik SNTs Datenblätter der Typen TDA 4600-3, TDA 4601, TDA 4601 D, TDA 4605 Problemlos bestellen mit der SBS-Preis- und Lagerliste F ür Kunden in d er B undesrepublik D eutschlan d und Berlin W est .
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Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9
Abstract: "Mikroelektronik" Heft meuselwitz Rema Toccata Tesla katalog Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft NF-Pegelmesser MV 73 mikroelektronik ddr
Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATIO N KID i R l M i Information-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des AM-Empfängerschalt Kreises A 244 D und des AM-FM-ZF-Verstärkers A 281 D Mikroelektronik Heft 5 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder lo it b e t n e b im v e b k o m b in a t m ik r o e le k t r o n ik
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c 337 25
Abstract: SC160D tic 2160 triac V130HE150 General electric SCR C220 ES5449 4533 gem 2n4401 2n3904 2222a 1N21 es5451
Text: GENERAL ^ E L E C T R I C SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTEURS * HALBLEITER CONTENTS SOMMAIRE INHALT I N D E X . 3 I N D E X . 3
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mikroelektronik ddr
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
Text: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK
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BUW58
Abstract: BUW57 BUW73 Q62702 Q62901-B11-A Q62901-B50 Q62702-U263
Text: BUW 57 BUW 58 BUW 73 N P N -S iliziu m -Leistu n g stra n sisto ren V o r lä u f ig e D a te n B U W 57, B U W 58 und B U W 73 sind N PN -Silizium -Leistungstransistoren in D reifachdiffu sionstechnik im Gehäuse 3 A 2 DIN 41 872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch
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Q62702-U263
Q62702-U262
Q62702â
Q62901-B11-A
Q62901-B50
BUW58
BUW57
BUW73
Q62702
Q62901-B11-A
Q62901-B50
Q62702-U263
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tfk 731
Abstract: N100700 bcy 79 BCY58 BCY 65 BCY 59
Text: BCY 58 • BCY 59 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: Allgem ein und NF-Verstärker Applications: General and AF am plifiers Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 1 W 0 Power dissipation 1 W
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acy transistor
Abstract: Q62901-B1 transistor ACY PNP ACY33 uz00 legiert
Text: PN P-Transistor für NF-Treiber- und Endstufen A C Y 33 ACY 33 ist ein legierter PNP-Germanium-Transistor im Gehäuse 1 A 3 DIN 41871 TO-1 ähnl. , Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet.
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ACY33
Q62901-B1
Q60103-Y33-G
Q60103â
Y33-G
Q60103-Y33-H
10ZK8
acy transistor
transistor ACY PNP
uz00
legiert
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la 7518
Abstract: TFK 450 BCW60C BCW60D BCW60
Text: G estem pelt m it: 'W BCW60A BCW 60B BCW60C BCW60D BCX70G BCX70H BC X70J BCX70K M a r k e d w ith : AA AB AC AD AG AH AJ AK BCW 60 * BCX 70 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar A F Transistor Anwendungen: Vorstufen und Schalter in Dick- und Dünnfilmschaltungen
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BCW60C
BCW60D
200Hz
la 7518
TFK 450
BCW60
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BD237
Abstract: BD 235 BD233 SD235 BD235 BD 100 V BD 237 to 126 leistungstransistoren 32-DIN BD NPN transistors
Text: BD 233 * BD 235 - BD 237 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung Features: • High peak power
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2DIN125A
150mA1)
BD237
BD 235
BD233
SD235
BD235
BD 100 V
BD 237
to 126 leistungstransistoren
32-DIN
BD NPN transistors
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103MA
Abstract: 1D2 SOT-23 BCW68 BCW58 BCW57A BCW57 OES45 JR-101
Text: BCW 67 BCW 68 PIMP-Transistoren für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen BCW 67 und BCW 68 sind epitaktische PNP-Silizium -Planar-Transistoren m it Plastikum hüllung 23 A 3 DIN 41 86 9 S O T -2 3 für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen. Sie
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OT-23)
BCW68
Q62702-C463
Q62702-C464
Q62702-C465
Q62702-C466
Q62702-C467
103mA
1D2 SOT-23
BCW58
BCW57A
BCW57
OES45
JR-101
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