BF998R) Search Results
BF998R) Price and Stock
NXP Semiconductors BF998R,235RF MOSFET 8V SOT143R |
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BF998R,235 | Reel |
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NXP Semiconductors BF998R,215RF MOSFET 8V SOT143R |
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BF998R,215 | Reel |
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BF998R,215 | Cut Tape | 3,000 |
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Infineon Technologies AG BF998RE6327HTSA1RF MOSFET 8V SOT143R |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BF998RE6327HTSA1 | Reel |
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UNKNOWN BF998R-E6327 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BF998R-E6327 | 2,192 |
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tfk BF998RWBGS08Power Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BF998RWBGS08 | 2,875 |
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BF998R) Datasheets (36)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Curated | Datasheet Type | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BF998R |
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Single Non Biased; Package: PG-SOT143-4; ID (max): 30.0 mA; Ptot (max): 200.0 mW; gfs (typ): 24.0 mS; Gp (typ): 20.0 dB; F (typ): 1.8 dB; | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998R |
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Silicon N-Channel MOSFET Tetrode | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998R |
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Silicon N-Channel MOSFET Tetrode | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998R |
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BF998R - Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.1 pF; COS: 1.05 pF; ID: 30 mA; IDSS: 2 to 18 mA; IDSS min.: 1.05 mA; Noise figure: 1@800MHz dB; Note: With external bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 2 V; VDSmax: 12 V; YFS min.: 21 mS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998R |
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Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998R |
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Silicon N-Channel Dual Gate MOS-FET | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998R | Siemens | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor) | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF 998R | Siemens | MOSFET, Silicon N-Channel MOSFET Tetrode | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998R | Vishay Telefunken | TRANS MOSFET N-CH 12V 0.03A 4SOT-143R | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998R | Vishay Telefunken | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998R |
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Silicon N-Channel Dual Gate MOS-FET | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998R,215 |
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BF998 - TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MICRO MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-4, FET RF Small Signal | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998R,215 |
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Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.1 pF; COS: 1.05 pF; ID: 30 mA; IDSS: 2 to 18 mA; IDSS min.: 1.05 mA; Noise figure: 1@800MHz dB; Note: With external bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 2 V; VDSmax: 12 V; YFS min.: 21 mS; Package: SOT143R (SC-61B); Container: Tape reel smd | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998R,235 |
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BF998R - Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs, SOT143R Package, Standard Marking, Reel Pack, SMD, Low Profile, Large | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BF998R,235 |
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Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.1 pF; COS: 1.05 pF; ID: 30 mA; IDSS: 2 to 18 mA; IDSS min.: 1.05 mA; Noise figure: 1@800MHz dB; Note: With external bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 2 V; VDSmax: 12 V; YFS min.: 21 mS; Package: SOT143R (SC-61B); Container: Tape reel smd | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998RA | Vishay Telefunken | TRANS MOSFET N-CH 12V 0.03A 4SOT-143R | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998RA | Vishay Telefunken | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998RA-GS08 | Vishay Telefunken | TRANS MOSFET N-CH 12V 0.03A 4SOT-143R | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998RAW | Vishay Telefunken | TRANS MOSFET N-CH 12V 0.03A 4SOT-343R | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998RAW | Vishay Telefunken | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode | Original |