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    BPY 10 Search Results

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    BPY 10 Price and Stock

    KEMET Corporation M3253503BPY102FZMB7956

    Multilayer Ceramic Capacitor, 1000 pF, 16 V, ? 1%, BP, 0603 [1608 Metric] - Trays (Alt: M3253503BPY102FZMB)
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    Avnet Americas M3253503BPY102FZMB7956 Tray 1
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    Pulse Electronics Corporation BBPY00100505601Y00

    Ferrite Beads 100505 600R 700mA
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    Mouser Electronics BBPY00100505601Y00 107,332
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    Pulse Electronics Corporation BBPY00160808102Y00

    Ferrite Beads 1000Ohms RDC=0.25Ohms 800mA
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    Mouser Electronics BBPY00160808102Y00 104,531
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    Pulse Electronics Corporation BBPY00100505102Y00

    Ferrite Beads 1000 OHM
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    Mouser Electronics BBPY00100505102Y00 92,958
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    Pulse Electronics Corporation ABPY00201209102Y00

    Ferrite Beads Chip Bead AEC-Q200
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    Mouser Electronics ABPY00201209102Y00 83,170
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    BPY 10

    Abstract: P1029 Q62702-P1029 Q62702-P9 fso06016
    Text: BPY 12 BPY 12 H 1 BPY 12 BPY 12 H 1 feo06697 fso06016 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm


    Original     		PDF feo06697 fso06016 Q62702-P9 Q62702-P1029 Beze140 BPY 10 P1029 Q62702-P1029 Q62702-P9 fso06016

    BPY 10

    Abstract: PHOTOVOLTAIC CELL Silicon Group Q60215-Y111-S4 Q60215-Y111-S5 "PHOTOVOLTAIC CELL"
    Text: BPY 11 P BPY 11 P fso06032 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite


    Original     		PDF fso06032 BPY 10 PHOTOVOLTAIC CELL Silicon Group Q60215-Y111-S4 Q60215-Y111-S5 "PHOTOVOLTAIC CELL"

    PHOTOVOLTAIC CELL

    Abstract: Q60215-Y66 BPY47p
    Text: BPY 47 P BPY 47 P fso06633 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite


    Original     		PDF fso06633 PHOTOVOLTAIC CELL Q60215-Y66 BPY47p

    Q60215-Y67

    Abstract: No abstract text available
    Text: BPY 64 P BPY 64 P fso06636 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite


    Original     		PDF fso06636 Q60215-Y67

    Q60215-Y65

    Abstract: No abstract text available
    Text: BPY 48 P BPY 48 P fso06634 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from


    Original     		PDF fso06634 Q60215-Y65

    bpy 62-4

    Abstract: Q60215-Y1111 foto transistor Y1112 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 Q60215Y1113 BPY62
    Text: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from


    Original     		PDF fmof6019 IPCE/IPCE25o ICEO/ICEO25o bpy 62-4 Q60215-Y1111 foto transistor Y1112 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 Q60215Y1113 BPY62

    GMOY6019

    Abstract: OHLY0598 Q60215Y1113
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit


    Original     		PDF

    GMOY6019

    Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit


    Original     		PDF

    BPY62

    Abstract: Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C


    Original     		PDF IPCE/IPCE25o ICEO/ICEO25o BPY62 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62 Q60215Y1113 BPY 62-3/4

    Bpy 43

    Abstract: foto transistor Y1112 GMOY6019 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C


    Original     		PDF

    GMOY6019

    Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 10
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit


    Original     		PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 400 . 1100 nm • Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:


    Original     		PDF D-93055

    NMR14

    Abstract: BLM21PG600SN1 TANTAL 16V Tantal 22uF/16V B3FS-1002 sw dip-4 DPC 31 SW-DIP-4 1SS294 B3F-1002
    Text: 5 4 3 2 1 D D SCL 3.3V 3.3V 3 2 1 JP1 XJ8C-0311 DPC R1 GPIO7 SW5 R2 10k R3 10k U2 10k B3FS-1002 8 7 6 5 GPIO6 SW4 VCC WP SCL SDA A0 A1 A2 GND 1 2 3 4 3.3V M24C32-WBN6 B3FS-1002 CP1 3.3V 3.3V D1 1SS294 0.1uF R4 1.5k RESET GPIO5 SW1 B3FS-1002 R8 R6 R7 1K R9


    Original     		PDF XJ8C-0311 B3FS-1002 M24C32-WBN6 1SS294 22uF/16V B3F-1002 30MHz XG8T-1031 NMR14 BLM21PG600SN1 TANTAL 16V Tantal 22uF/16V B3FS-1002 sw dip-4 DPC 31 SW-DIP-4 1SS294 B3F-1002

    Bpy 43

    Abstract: BP 103-3 SFH 225 FA BPX 43-3/4 SFH 309-3/4
    Text: SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS 4. Fototransistoren 4. Phototransistors TA = 25 °C Package TA = 25 °C Type ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 IPCE λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V VCEO λ10% mA V nm tr,tf (IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ)


    Original     		PDF Q62702-P3595 Q62702-P3593 Q62702-P999 Q62702-P3594 Q6270 Q62702-P1677 Q62702-1129 Q62702-P216 Q62702-P956 Q62702-P1671 Bpy 43 BP 103-3 SFH 225 FA BPX 43-3/4 SFH 309-3/4

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS Sjlizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm • Kathode = Chipunterseite


    OCR Scan     		PDF BPY11 235bG5 flE3Sb05 GG573ci3

    BPY64

    Abstract: Q60215-Y67
    Text: SIEMENS Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 64 P Anode red * Max. solder areas on front and back side gsoo 6636 Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale


    OCR Scan     		PDF GS006636 BPY64 Q60215-Y67

    BPY62

    Abstract: Siemens photodiode SIEMENS Phototransistors BPY
    Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Chip position 2.7 BPY 62 Radiant sensitive area \ 00.45 .1I v _ . . 12.5 5.1 4.8 _—6.2 k 5.4 Approx. weight 1.0 g M aße in mm, w enn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified


    OCR Scan     		PDF 0HF01SB8 BPY62 Siemens photodiode SIEMENS Phototransistors BPY

    SIEMENS Phototransistors BPY

    Abstract: Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 WCE0250 SIEMENS Phototransistors Q60215Y1111
    Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Chip position BPY 62 R ad ian t sensitive area ^ 2 -7 0 0 .4 5 A 14.5 5.1 12.5 4.8 6.2 5.4 o Approx. w eight 1.0 g 5fi o E M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified


    OCR Scan     		PDF WCE0250 OHF01593 0HF01916 SIEMENS Phototransistors BPY Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 WCE0250 SIEMENS Phototransistors Q60215Y1111

    tic 1060

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell D io d e and s o ld e r pods A c tiv e a re a BPY 64 P la c q u e re d Cvl I t J 66-4 u .2 S tr a n d s ^ 0^0 tO llT i ö lö s o ld e re d I 2 . 5 '1 J—1 '• — ■• •• 0 0 .5 5 / 00.5 3 .0


    OCR Scan     		PDF 9G990OSJ BPY64P tic 1060

    p1029

    Abstract: SIEMENS BPY12h1 applications
    Text: SIEMENS D io d e and s o ld e r p a d s A c tiv e B P Y 12 BPY 12 H 1 tsoQ6016 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode la c q u e re d a re a L cs o I i n uS 5 .2 55 5 .0 50 Anode S tr a n d s ’ M a x. s o ld e r a re a s and back A p p ro x . on


    OCR Scan     		PDF feo06697 BPY12 BPY12H1 p1029 SIEMENS BPY12h1 applications

    SIEMENS Phototransistors BPY

    Abstract: 2108a siemens dioden SFH-506 SFH100 BPW21 300FA 2108 A SFH 314 SFH-10
    Text: Silicon Photodetectors Si-Fotodetektoren Summary of Types Typenübersicht 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors ♦ SFH 506 BPX 81 3. SFH 300/FA SFH 313/FA SFH 314/FA BP 103 SFH 302 SFH 305 BPX 83 BP 104 F BPW 34 FA


    OCR Scan     		PDF 300/FA 313/FA 314/FA 309/FA 310/FA 309P/PFA 303/FA 203/FA 213/FA 214/FA SIEMENS Phototransistors BPY 2108a siemens dioden SFH-506 SFH100 BPW21 300FA 2108 A SFH 314 SFH-10

    BPY 10

    Abstract: C 82 siemens SFH nm Bpy 43 Q60215-Y65
    Text: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 8. Fotodioden für spezielle Anwendungen 8. Photodiodes for Special Applications Tk = 2 5 C r A = 25 C 8.2 Zwei- und Vierfach-Fotodioden Package Radiant sensitive area ? K„ = 5 V , £ v = 1000 Ix, standard light A


    OCR Scan     		PDF Q62702-P270 Q62702-P17-S1 BPY11 Q60215-Y111-S5 Q62702-P51 Q60215-Y67 Q60215-Y65 Q60215-Y63-S1 Q62607-S60 Q62607-S61 BPY 10 C 82 siemens SFH nm Bpy 43 Q60215-Y65

    fotodiode oe 100

    Abstract: siemens SFH nm SFH 462 BPY64 BPW 64 photo siemens germanium transistoren PX60 SIEMENS Phototransistors BPY siemens transistoren germanium
    Text: SIEMENS Typenübersicht Selector Guide Inhaltsverzeichnis Fotodetektoren Contents Photodetectors Page Seite Fotomodul für Fernbedienungen.12 Photomodule for Remote Control Systems. 12


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    PHOTOVOLTAIC CELL

    Abstract: BPy70 R2003
    Text: « 1 » 'W BPY70 Silizium-NP-Fotoelement Silicon NP Photovoltaic Cell Anwendung: Umwandlung von Lichtenergie z.B. Sonnenlicht in elektrische Energie (Solarzelle) Application: Conversion of (solar) light energy into electrical energy Features: Besondere Merkmale:


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