25c diode
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GXR 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
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BSM150GXR120DN2
25c diode
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
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200BT
BSM150GXL120DN2
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BSM150GXL120DN2
Abstract: Eupec Power Semiconductors 600v bsm igbtmodule BSM15
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
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BSM150GXR120DN2
Abstract: transistor t 270 transistor 600v transistor f 948 igbtmodule
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXR 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
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BSM150GXL120DN2
Abstract: 150 GXL 120 DN2 ,igbtmodule
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
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BSM150GXL120DN2
BSM150GXL120DN2
150 GXL 120 DN2 ,igbtmodule
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BSM150GXR120DN2
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXR 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
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BSM150GXR120DN2
BSM150GXR120DN2
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BSM150GXR120DN2
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXR 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
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BSM150GXL120DN2
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
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Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
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Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GD 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 50 GB 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
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4500a
Abstract: No abstract text available
Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 300 GA 170 DLS 07.05.1998 BSM 300 GA 170 DLS vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 50 GD 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
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4500a
Abstract: transistor VCE 900V
Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 300 GA 170 DL M6 28,5 22 23 ø6,4 16,1 13 2 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 3 07.05.1998 BSM 300 GA 170 DL vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
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gate-emitt50
4500a
transistor VCE 900V
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Abstract: No abstract text available
Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 400 GA 170 DL M6 28,5 22 23 ø6,4 16,1 13 2 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 3 07.05.1998 BSM 400 GA 170 DL vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
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4500a
Abstract: GA170DL
Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 300 GA 170 DL M6 28,5 22 23 ø6,4 16,1 13 2 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 3 07.05.1998 BSM 300 GA 170 DL vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
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IC350
Abstract: No abstract text available
Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 200 GA 170 DLS 07.05.1998 BSM 200 GA 170 DLS vorläufige Daten Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 50 GD 170 DL 118.11 94.5 119 121.5 99.9 4 x 19.05 = 76.2 3.81 19.05 18 19 1 2 3 4 17 5 6 7 3.81 16 8 9 15 10 11 12 1.15x1.0 15.24 5 x 15.24 =76.2 110 connections to be made externally
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4500a
Abstract: No abstract text available
Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 300 GA 170 DL M6 28,5 22 23 ø6,4 16,1 13 2 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 3 07.05.1998 BSM 300 GA 170 DL vorläufige Daten Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 100 GB 170 DL 2,8 x 0,5 M6 22,5 22,5 22 ø6,4 16 6 7 1 2 3 28 28 93 20 5 4 106,4 6 7 1 3 5 2 4 23.04.1998 BSM 100 GB 170 DL vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
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bsm 25 op 120
Abstract: BSM 204-A
Text: SIEMENS BSM 35 GD 120 D2 IGBT Power Module Preliminary data • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate Type VCE BSM 35 GD 120 D2 1200V 50A 'c Package Ordering Code SIXPACK 1 C67076-A2506-A17
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C67076-A2506-A17
bsm 25 op 120
BSM 204-A
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FP50R12KS4C
Abstract: BSM35GP120G bsm 25 op 120
Text: Power Integrated Modules PIM Type Power Integrated Modules PIM R e ctifie r D iodes < o m RthJC V A V rrm I frmsm K /W V V125°C V A Tc-80°C K/W 2,2 2,2 1600 1600 8 1,8 12 600 16 24 0,8 0,8 13,1 1600 1,2 1,2 13,1 600 0,8 13,1 10,5 BSM 10 GP 60 BSM 15 GP 60
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BSM100GP
GP120G
FP15R12KS4C
FP25R12KS4C
FP35R12KS4C
FP50R12KS4C
Tc-80
BSM35GP120G
bsm 25 op 120
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BSM141
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS SIMOPAC MOSFET Module VDS l0 ^ D S o n • • • • • • BSM 141 = 400 V = 60 A = 0.075 Q Power module Single switch N channel Enhancement mode Package with insulated metal base plate Circuit diagram: Fig . 1 a1) Type Ordering code BSM 141
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C67076-A1010-A2
BSM141
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