DAS SOT 23 Search Results

DAS SOT 23 Result Highlights (5)

Part	Manufacturer	Description
7UL2T125FK	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	One-Gate Logic(L-MOS), Buffer, SOT-765 (US8), -40 to 85 degC
TC75S102F	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	Operational Amplifier, 1.5V to 5.5V, I/O Rail to Rail, IDD=0.27μA, SOT-25
7UL2T126FK	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	One-Gate Logic(L-MOS), Buffer, SOT-765 (US8), -40 to 85 degC
TCR2EF18	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	LDO Regulator, Fixed Output, 1.8 V, 200 mA, SOT-25 (SMV)
TCR2LF18	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	LDO Regulator, Fixed Output, 1.8 V, 200 mA, SOT-25 (SMV)

DAS SOT 23 Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	Document Tags	PDF
DHs SOT-23 Abstract: DFs SOT-23 sep 67a BCW67 das sot 23 67A SOT 23 6 Text: BCW 67, BCW 68 PNP Silicon AF Transistors 3 • For general AF applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCW 65, BCW 66 NPN 2 1 Type Marking Pin Configuration BCW 67A DAs 1=B 2=E 3=C SOT-23 BCW 67B	Original	OT-23 VPS05161 Sep-30-1999 EHP00401 EHP00402 DHs SOT-23 DFs SOT-23 sep 67a BCW67 das sot 23 67A SOT 23 6	PDF
YL SOT23 Abstract: OHLY1698 LED rot 5mm TA 7503 OHLY0597 OHLY0598 Text: Lumineszenzdioden Light Emitting Diodes Lötbedingungen für LED Soldering conditions for LEDs Beim Einlöten ist darauf zu achten, daß das Bauelement thermisch nicht überlastet wird. Die maximale Sperrschichttemperatur darf nur kurzzeitig max. 1 min überschritten werden.	Original	OHL00523 YL SOT23 OHLY1698 LED rot 5mm TA 7503 OHLY0597 OHLY0598	PDF
MAX5223 Abstract: MAX528 MAX539 14-Bit-DAC 12bitDAC MAX5354 MAX5467 6-SOT23 MAX5460 MAX5463 Text: D/A CONVERTERS Datenblätter Anwendungsbeispiele • • 9 Kostenlose Muster be usga A . 5 1 Weltweit kleinstes digitales Potentiometer mit 32 Stufen im SC70-Gehäuse NUR € 0,27!2 Vorstellung des winzigen FleaPoT ES GIBT KEIN KLEINERES POTENTIOMETER AUF DEM MARKT!	Original	SC70-Geh OT23-Geh MAX529 MX7228 MAX5160 MAX5161 MAX5400 MAX5401 MAX5402 MAX5403 MAX5223 MAX528 MAX539 14-Bit-DAC 12bitDAC MAX5354 MAX5467 6-SOT23 MAX5460 MAX5463	PDF
SMD transistor MARK DAR Abstract: in-process quality inspections Pharmaceuticals Product TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM MP 1008 es semiconductors cross index Microwave GaAs FET catalogue gate turn off thyristors TRANSISTOR SMD MARKING CODE 8D SMD Schottky Dioden transistor pnp a110 Text: Einzelhalbleiter Small-Signal Semiconductors Qualitätsmanagement, Qualität und Zuverlässigkeit Quality Management, Quality and Reliability Themenschrift 07.96 Special-Subject Brochure 07.96 Vorwort Preface Der Geschäftszweig Einzelhalbleiter im Unternehmensbereich Halbleiter entwickelt, fertigt und vertreibt ein breites	Original		PDF
232ge Abstract: STK 3400 Mischer IC MAX4644 oscillator 45mhz 4pin MAX2472 max2650 MAX2310 MAX1763 MAX2387 Text: CELLULAR/PCS PHONES Datenblätter • Anwendungsbeispiele Kostenlose Muster • e sgab u A . 3 NEU 3 m GND LNA_IN 10 BIAS_SET m 1 m x 3m LNA_OUT 1 GAIN 2 MIX_IN 3 BIAS 9 VCC 8 IF+ 7 IF- 9 VCC LO 6 LOLNA_IN 10 LO+ GND 11 5 SHDN BIAS_SET 12 4 MAX2387/MAX2388	Original	MAX2387/MAX2388 MAX2389 MAX2387/MAX2388/ MAX2389 SC70-Geh SC70-5 MAX4490 10MHz 200pF 232ge STK 3400 Mischer IC MAX4644 oscillator 45mhz 4pin MAX2472 max2650 MAX2310 MAX1763 MAX2387	PDF
MESSUNG PLC Communication cable pin diagram Abstract: Sub-D 25-pol Sub-D 9-pol MC 9080 rj45 usb schema 3000W power supply EL9000 EL3000 messung 8 pin plc cable MESSUNG PLC programming cable pin diagram Text: Benutzerhandbuch User Manual Schnittstellenkarten Interface Cards USB / RS232 / GPIB / CAN / Analog / Ethernet IF-U1 USB : IF-R1 (RS232): IF-C1 (CAN): IF-A1 (ANA): IF-G1 (GPIB): IF-E1 (Ethernet): IF-U2 (USB): IF-R2 (RS232): IF-C2 (CAN): IF-E2 (Ethernet):	Original	RS232 RS232) RS232 PSI9000. ea1974 MESSUNG PLC Communication cable pin diagram Sub-D 25-pol Sub-D 9-pol MC 9080 rj45 usb schema 3000W power supply EL9000 EL3000 messung 8 pin plc cable MESSUNG PLC programming cable pin diagram	PDF
smd-transistor DATA BOOK Abstract: triac ansteuerung smd-transistor SMD transistors Relais datenblatt RGS 13 simple circuit diagram of electronic choke SITAC P-Channel Depletion Mode Field Effect Transistor SMD transistor Mo Siemens varistor family Text: Technische Angaben Technical Information SIPMOS Kleinsignal-Bauelemente SIPMOS Small-Signal Components MOS-Transistoren im Bereich 50 V . 800 V und 40 mA . 3800 mA. IGBT: 1200 V; 2500 mA MOS transistors in the range of 50 V . 800 V and 40 mA . 3800 mA.	Original		PDF
J306 Abstract: u601 J307 transistor J306 icd3 schematic j608 S3007 J3125 S3008 j6051 Text: Fujitsu Microelectronics Europe User Guide UG-910055-13-EMA-MB91V460A-002 FR60 FAMILY ADAPTER BOARD EMA-MB91V460A-002/B USER GUIDE UG-910055-13-EMA-MB91V460A-002 Revision History Date 23.02.2007 02.03.2007 30.03.2007 12.04.2007 Issue V1.0, MB/RH/AW, First Release	Original	UG-910055-13-EMA-MB91V460A-002 EMA-MB91V460A-002/B S300-2 UG-910055-12-EMA-MB91V460A-002 permittedMA-MB91V460A-002 J306 u601 J307 transistor J306 icd3 schematic j608 S3007 J3125 S3008 j6051	PDF
relais datenbuch siemens Abstract: siemens datenbuch triac zu 103 ma BSS97 diode sg 5 ts Scans-048 BUZ23 s489 DSAGER00059 Transistor Datenbuch Text: SIEMENS SIPMOS Kleinsignaltransistoren Technische Beschreibung Ausgabe September 1986 Inh alt 1. Einleitung 5 2. Technologie 5 3. Schaltverhalten 6 4. D atenblattangaben 8 4.1 4.2 4.3 Drainstrom lD Gate-Schwellenspannung VGS th Temperaturabhängigkeit 8 8	OCR Scan	BRT12H BRT12M relais datenbuch siemens siemens datenbuch triac zu 103 ma BSS97 diode sg 5 ts Scans-048 BUZ23 s489 DSAGER00059 Transistor Datenbuch	PDF
BD237 Abstract: BD 235 BD233 SD235 BD235 BD 100 V BD 237 to 126 leistungstransistoren 32-DIN BD NPN transistors Text: BD 233 * BD 235 - BD 237 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung Features: • High peak power	OCR Scan	2DIN125A 150mA1) BD237 BD 235 BD233 SD235 BD235 BD 100 V BD 237 to 126 leistungstransistoren 32-DIN BD NPN transistors	PDF
BD234 Abstract: bd 236 BD - 100 V Bo 235 BD236 BD238 DIN125A JEDECTO126 din 125a BD 238 Text: BD 234 •BD 236 •BD 238 'W Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Features: Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung • High peak power	OCR Scan		PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Lumineszenzdioden Light Emitting Diodes Hinweise Notes Gurtung Tape and reel TO PLED Multi TO PLED : TO PLED RG: 8 mm Gurt, gegurtet auf 18 cm Spule, 2 00 0 Stück/Spule, mit Eintrag E7510 auf 33 cm Spule 8 00 0 Stück/Spule 12 mm G url, gegurtet auf 18 cm Spule, 2 00 0 Stück/Spule,	OCR Scan	E7510 18-cm 33-cm 12-mm	PDF
IC 74157 Abstract: to 126 leistungstransistoren BD 176 BD176 BD180 BD178 "BO 180" B0180 TFK F BD 175 TFK G BD 175 Text: ► BD 176 • BD 178 • BD 180 Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Verstärker, -Treiber und -Endstufen Allgemein im NF-Bereich Applications: Audio amplifier, driver and output stages General in AF-range	OCR Scan	N125A IC 74157 to 126 leistungstransistoren BD 176 BD176 BD180 BD178 "BO 180" B0180 TFK F BD 175 TFK G BD 175	PDF
B589N Abstract: B511N information applikation mikroelektronik B589 "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation 4 bis 20 mA Schaltkreis halbleiterwerk mikroelektronik applikation Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation B589N Temperaturkompensierte Referenzspannungsquetle Applikationshinweise TG L 42934 Hersteller: VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder Kurzcharakteristik Grenzwerte P aram eter Kurzzeichen Betriebsstrom (von 1 nach 3) Umgebungstemperatur	OCR Scan	B589N B511N, B511N information applikation mikroelektronik B589 "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation 4 bis 20 mA Schaltkreis halbleiterwerk mikroelektronik applikation	PDF

BD190 Abstract: BD - 100 V BD185 BD188 bd 190 Text: ► BD186 * BD188 * BD190 Silizium-PNP-Epibasis-Transistoren Silicon PNP Epibase Transistors Anwendungen: Audio-Verstärker, -Treiber und -Endstufen Applications: Audio amplifier, driver and output stages Features: Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung	OCR Scan	N125A BD190 BD - 100 V BD185 BD188 bd 190	PDF
rjr ce Abstract: BD170 Scans-0010668 BD 166, 168, 170 bd166 JEDECTO126 BD169 BD - 100 V Text: BD166 • BD168 • BD170 Silicon PNP Epitaxial Planar Power Transistors Anwendungen: Allgemein im NF-Bereich Applications: General in AF-range Besondere Merkmale: • Verlustleistung 20 W Features: • Power dissipation 20 W	OCR Scan	N125A 150mA 500mA 500mA rjr ce BD170 Scans-0010668 BD 166, 168, 170 bd166 JEDECTO126 BD169 BD - 100 V	PDF
tfk 434 Abstract: tfk 436 tfk 435 bd 435 Bo435 tfk u 436 BD433 bd435 DIN125A R 433 A Text: BD 433 *BD 435 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: • Niedrige Betriebsspannungen speziell für Autoradiobetrieb • Hohe Stromverstärkung	OCR Scan	BD433, tfk 434 tfk 436 tfk 435 bd 435 Bo435 tfk u 436 BD433 bd435 DIN125A R 433 A	PDF
BD NPN transistors 177 Abstract: IC 74157 BD 2418 BD179 BD175 BD177 bd 175 236 TFK BD176 din 125a Text: BD 175 • BD 177 • BD 179 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anw endungen: Audio-Verstärker, -Treiber und -Endstufen Applications: Allgemein im NF-Bereich Audio amplifier, driver and output stages General in AF-range	OCR Scan	CEOsus80 BD NPN transistors 177 IC 74157 BD 2418 BD179 BD175 BD177 bd 175 236 TFK BD176 din 125a	PDF
BD 440 PNP transistors Abstract: BD PNP BD438 BD442 BD 438 b0438 b0440 BD440 BD - 100 V bd441 Text: BD 438 - BD 440 - BD 442 Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: Allgemein im NF-Bereich Applications: General in AF-range Besondere Merkmale: Features: • Hohe Spitzenleistung • Verlustleistung 36 W	OCR Scan	verb00 BD 440 PNP transistors BD PNP BD438 BD442 BD 438 b0438 b0440 BD440 BD - 100 V bd441	PDF
BD441 Abstract: bd 426 BD 440 NPN transistors BD437 BD - 100 V BD 439 437 bd ic 437 BD439 B0439 Text: « BD 437 • BD 439 • BD 441 'W Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Allgemein Im NF-Berelch Applications: General in AF-range Features: Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung • High peak power	OCR Scan	N125A BD441 bd 426 BD 440 NPN transistors BD437 BD - 100 V BD 439 437 bd ic 437 BD439 B0439	PDF
UL224D30 Abstract: UB880D radio fernsehen elektronik selen-gleichrichter L6516DG15 selengleichrichter L224D U6516dg bauelemente Kombinat D74LS999DK U6516D L6516DG15 Text: Typbezeichnung u nd K ennzeichnung von H alb le iterb a u e lem e n te n Dipl.-Ing. PETER H A N D R A C K Mitteilung aus dem V EB Kombinat Mikroelektronik Erfurt Ziel der Überarbeitung der TGL 38015 war es, sowohl die bei der A rbeit m it der beste henden Ausgabe gewonnenen Erfahrungen	OCR Scan		PDF
LDR 03 Abstract: valvo halbleiter LDR -03 cny63 CNY62 BYX 71 800 CXY19 VALVO ldr 07 BZW10-12 Text: Halbleiter bauelemente • 1981/82 N, Bauelemente l m für die gesamte i f Elektronik V A L V O Valvo bietet das breiteste Produktprogram m an Bauelementen für die gesamte Elektronik in Deutschland: Bildröhren A blenkteile Tuner Lautsprecher Transform atoren	OCR Scan		PDF
siemens Transistoren Abstract: induktive triac ansteuerung smd transistors SIPMOS application note BSS98 equivalent Siemens Halbleiter Bauelemente Siemens Halbleiter Text: Technische Angaben Technical Information SIEMENS SIPMOS Kleinsignal-Bauelemente SIPMOS® Small-Signal Components MOS-Transistoren im Bereich 50 V . 800 V und 40 mA . 3800 mA. IGBT: 1200 V; 2500 mA MOS transistors in the range of 50 V . 800 V and 40 mA . 3800 mA.	OCR Scan		PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr information applikation information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR SMY50 mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft Text: Information Applikation Fïn]o i=3rn(s]eiel-ctenoriil-c Information Applikation H E F T 56 : Verhalten von Elektronischen Baueleaenten bei E S D (Electrostatic discharge -Physikalische Grundlagen-Wi^kungen-Maßnahmen zum Schutz vor ESD- veb halbJoiterwork fronkfurt /oderb e t r ie b im v e b k o m b in a t m ik r o o t a k t r o m k	OCR Scan		PDF

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