MarKING JS
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7026 CPH6316 P-Channel Silicon MOSFET CPH6316 High-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. High-speed switching. 4V drive. unit : mm 2151A [CPH6316] 0.15 2.9 5 4 0.6 6 0.2 • 0.6 1.6 2.8 0.05
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Original
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ENN7026
CPH6316
CPH6316]
MarKING JS
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PDF
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W507
Abstract: FW507 MCH3312 SB1003M
Text: FW507 注文コード No. N 8 4 0 3 三洋半導体データシート N FW507 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗超高速スイッチング、低電圧駆動の P チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間が短く、
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Original
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FW507
FW507
MCH3312
SB1003M
3000mm2
81205PA
TB-00001717
IT08184
W507
MCH3312
SB1003M
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SCH1304
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1304 Ordering number : ENN8100 P-Channel Silicon MOSFET SCH1304 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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SCH1304
ENN8100
900mm2
SCH1304
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CPH5810
Abstract: MCH3312
Text: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5810 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）
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Original
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CPH5810
MCH3312
SBS001
600mm2
12805PE
TA-100105
IT09167
IT09166
CPH5810
MCH3312
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PDF
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A0113-4
Abstract: a0113 VEC2307 A0113-1 D1505PE
Text: VEC2307 注文コード No. N A 0 1 1 3 三洋半導体データシート N VEC2307 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・ロードスイッチング用途に最適。 ・4V 駆動。
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Original
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VEC2307
900mm2
IT03231
900mm2
IT10326
IT10327
A0113-4/4
A0113-4
a0113
VEC2307
A0113-1
D1505PE
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PDF
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VEC2307
Abstract: d1505 A0113-1
Text: VEC2307 Ordering number : ENA0113 VEC2307 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for load switches. 4V drive. Composite type, facilitaing high-density mounting. Mount height 0.75mm. Specifications
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Original
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VEC2307
ENA0113
900mm2
A0113-4/4
VEC2307
d1505
A0113-1
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PDF
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MCH6318
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6318 Ordering number : ENN7999 MCH6318 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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MCH6318
ENN7999
900mm2
MCH6318
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PDF
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TA 8403 A
Abstract: w507 FW507 MCH3312 SB1003M
Text: FW507 Ordering number : ENN8403 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode FW507 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Composite type with a low ON-resistance, ultrahigh-speed switching, low voltage drive, P-channel MOSFET and
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Original
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FW507
ENN8403
FW507
MCH3312
SB1003M
TA 8403 A
w507
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PDF
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MCH3312
Abstract: marking JM
Text: Ordering number : ENN7009 MCH3312 P-Channel Silicon MOSFET MCH3312 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. unit : mm 2167A [MCH3312] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65
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Original
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ENN7009
MCH3312
MCH3312]
MCH3312
marking JM
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PDF
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ENN8206
Abstract: CPH5810 MCH3312
Text: CPH5810 Ordering number : ENN8206 CPH5810 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS001)
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Original
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CPH5810
ENN8206
MCH3312)
SBS001)
ENN8206
CPH5810
MCH3312
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PDF
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CPH5810
Abstract: MCH3312
Text: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 三洋半導体データシート N CPH5810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）
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Original
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CPH5810
MCH3312
SBS001
600mm2
12805PE
TA-100105
IT09167
IT09166
CPH5810
MCH3312
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7009 MCH3312 MCH3312 P-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. unit : mm 2167A [MCH3312] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65
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Original
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ENN7009
MCH3312
MCH3312]
MCH3312/D
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PDF
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SCH1304
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1304 注文コード No. N 8 1 0 0 三洋半導体データシート N SCH1304 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
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Original
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SCH1304
900mm2
--10V
IT03229
900mm2
IT08150
IT08147
SCH1304
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PDF
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