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2SC5793 Abstract: No abstract text available Text: 2SC5793 Ordering number : EN7451A SANYO Semiconductors DATA SHEET 2SC5793 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features • • • • High speed. High breakdown voltage VCBO=1600V .	Original	PDF	2SC5793 EN7451A 2SC5793
IC 74173 Abstract: 2SC5933 74171 Text: Ordering number : ENN7417 2SC5933 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5933 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features • • • High speed. High breakdown voltage VCBO=1600V . High reliability(Adoption of HVP process).	Original	PDF	ENN7417 2SC5933 2048B 2SC5933] IC 74173 2SC5933 74171
IC 74173 Abstract: 74171 N2503 2SC5933 N7417 Text: 注文コード No. N 7 4 1 7 2SC5933 No. N7417 N2503 新 NPN 三重拡散プレーナ形シリコントランジスタ 2SC5933 特長超高精細度 CRT ディスプレイ水平偏向出力用・高速度である。・高耐圧である（VCBO=1600V）	Original	PDF	2SC5933 N7417 N2503 2048B IT03589 IT03590 IT03581 IT03591 IC 74173 74171 N2503 2SC5933 N7417
2SC5793 Abstract: N7451 74512 Text: 注文コード No. N 7 4 5 1 2SC5793 No. N7451 31504 新 NPN 三重拡散プレーナ形シリコントランジスタ 2SC5793 特長超高精細度 CRT ディスプレイ水平偏向出力用・高速度である。・高耐圧である（VCBO=1600V）	Original	PDF	2SC5793 N7451 IT03579 IT03580 IT03581 IT03582 2SC5793 N7451 74512
PC525 Abstract: 2SC5794 74521 2174A Text: 注文コード No. N 7 4 5 2 2SC5794 No. N7452 31504 新 NPN 三重拡散プレーナ形シリコントランジスタ 2SC5794 特長超高精細度 CRT ディスプレイ水平偏向出力用・高速度である。・高耐圧である（VCBO=1600V）	Original	PDF	2SC5794 N7452 IT03589 IT03590 IT03581 IT03591 PC525 2SC5794 74521 2174A
74171 Abstract: IC 74173 2SC5933 Text: Ordering number : ENN7417 2SC5933 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5933 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features • • • High speed. High breakdown voltage VCBO=1600V . High reliability(Adoption of HVP process).	Original	PDF	ENN7417 2SC5933 2048B 2SC5933] 74171 IC 74173 2SC5933
2SC5794 Abstract: No abstract text available Text: Ordering number : ENN7452 2SC5794 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5794 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features • • • • Package Dimensions High speed. High breakdown voltage VCBO=1600V . High reliability(Adoption of HVP process).	Original	PDF	ENN7452 2SC5794 2SC5794] 2SC5794
2SC5793 Abstract: US1080 74511 Text: Ordering number : ENN7451 2SC5793 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5793 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features • • • • Package Dimensions High speed. High breakdown voltage VCBO=1600V . High reliability(Adoption of HVP process).	Original	PDF	ENN7451 2SC5793 2SC5793] 2SC5793 US1080 74511