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    Abstract: No abstract text available
    Text: 赤外高感度 Si PINフォトダイオード S12028 近赤外域で高感度 MEMS構造を応用 フォトダイオードの裏面にMEMS構造を形成することによって、近赤外域で高感度を実現したSi検出器を開発しました。


    Original     		S12028 S12028ã S5821) KPINB0376JB KPINB0377JB KPINB0378JA KPINB0379JA KPINA0112JA KPIN1083J02 PDF