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    MCH665 Search Results

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    MCH665 Price and Stock

    onsemi MCH6654-TL-E

    MCH6654 - NCH+NCH 1.8 DRIVE SERIES '
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    Rochester Electronics MCH6654-TL-E 3,000 1
    • 1 $0.0758
    • 10 $0.0758
    • 100 $0.0713
    • 1000 $0.0644
    • 10000 $0.0644
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    onsemi MCH6655-TL-E

    MCH6655 - PCH+PCH 4V DRIVE SERIES '
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    Rochester Electronics MCH6655-TL-E 3,000 1
    • 1 $0.0758
    • 10 $0.0758
    • 100 $0.0713
    • 1000 $0.0644
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    MCH665 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    A1018

    Abstract: IT10824 A10183
    Text: MCH6652 注文コード No. N A 1 0 1 8 三洋半導体データシート N MCH6652 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・4V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。


    Original     		PDF MCH6652 900mm2 150mA 150mA, 300mA IT10829 900mm2 IT13196 A1018 IT10824 A10183

    A1284

    Abstract: A12842
    Text: MCH6657 Ordering number : ENA1284 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH6657 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low-ON-reisistance. 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.


    Original     		PDF MCH6657 ENA1284 A1284-4/4 A1284 A12842

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6655 Ordering number : ENA1043 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6655 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.


    Original     		PDF MCH6655 ENA1043 PW10s, 900mm20 A1043-4/4

    transistor a1018

    Abstract: A1018
    Text: MCH6652 Ordering number : ENA1018 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET MCH6652 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.


    Original     		PDF MCH6652 ENA1018 PW10s, 900mm20 A1018-4/4 transistor a1018 A1018

    MCH6656

    Abstract: 8V100
    Text: MCH6656 注文コード No. N A 0 5 3 0 三洋半導体データシート N MCH6656 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・4V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。


    Original     		PDF MCH6656 900mm2 100mA 100mA, IT11271 200mA 900mm2 IT13430 MCH6656 8V100

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6654 Ordering number : ENA0942 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET MCH6654 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.


    Original     		PDF MCH6654 ENA0942 PW10s, 900mm20 A0942-4/4

    IT11215

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6651 注文コード No. N A 0 8 7 5 三洋半導体データシート N MCH6651 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・4V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。


    Original     		PDF MCH6651 900mm2 100mA 100mA, --200mA IT11217 900mm2 IT12738 IT12751 IT11215

    A1195

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6650 注文コード No. N A 1 1 9 5 三洋半導体データシート N MCH6650 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・1.5V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。


    Original     		PDF MCH6650 900mm2 200mA 200mA, 100mA, IT11717 900mm2 IT13627 A1195

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6653 Ordering number : ENA1239 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6653 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.


    Original     		PDF MCH6653 ENA1239 PW10s, 900mm A1239-4/4

    mosfet xb

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6650 Ordering number : ENA1195 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET MCH6650 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.


    Original     		PDF MCH6650 ENA1195 PW10s, 900mm20 A1195-4/4 mosfet xb

    MCH6656

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6656 Ordering number : ENA0530 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET MCH6656 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.


    Original     		PDF MCH6656 ENA0530 PW10s, 900mm20 A0530-4/4 MCH6656

    A1239

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6653 注文コード No. N A 1 2 3 9 三洋半導体データシート N MCH6653 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・1.5V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。


    Original     		PDF MCH6653 900mm2 --100mA IT11260 PW10s --400mA 900mm2 IT13776 A1239

    IT-1127

    Abstract: IT-1127-5 IT11275
    Text: MCH6654 注文コード No. N A 0 9 4 2 三洋半導体データシート N MCH6654 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・1.5V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。


    Original     		PDF MCH6654 900mm2 100mA 100mA, IT11281 900mm2 IT12960 IT12959 IT-1127 IT-1127-5 IT11275

    A1284

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6657 注文コード No. N A 1 2 8 4 三洋半導体データシート N MCH6657 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・ 低オン抵抗 。 ・ 4V 駆動。 ・ MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。


    Original     		PDF MCH6657 900mm 400mA 400mA IT13925 900mm2 IT13926 IT13927 A1284

    IT11215

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6651 Ordering number : ENA0875 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6651 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.


    Original     		PDF MCH6651 ENA0875 900mm20 A0875-4/4 IT11215

    NLX 230

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6657 SPICE PARAMETER Pch MOS FET model : BSIM3V3.2 Parameter Value LEVEL 8 VERSION 3.2 VTH0 -1.74 NLX 1.7E-07 DVT2 -0.01 UB 1.0E-21 AGS 0.2 RDSW 3.77E+05 WINT NFACTOR 0.7 CDSCD PCLM 1.7 DROUT 0.96 PVAG 0.01 MOBMOD 1 CAPMOD 3 CGDO 1.0E-11 CGDL 4.0E-10 CLC


    Original     		PDF MCH6657 7E-07 0E-21 0E-11 0E-10 0E-09 0E-07 64401E-6 64401E-12 47E-02 NLX 230

    RD1004

    Abstract: 2SC5707 2sK4096 ECH81 rd1004ls 2SK4101 tf252th SFT1443 vf10bm3 RD2006
    Text: ディスクリートデバイス 2010-7 環境にやさしい製品 超アナログ技術を極めるPower ＆RFデバイス Power 電 源 市 場 耐熱性 高アバランシェ 高耐圧・大電流 高効率 高ESD ・パワーマネジメント （LCDPDP、PC電源、照明）


    Original     		PDF CDMA2000] 3-7300Fax OVA21 052-453-1331Fax 06-6353-3361Fax 03-5701-1111Fax 078-928-8010Fax 078-331-8400Fax 075-371-4058Fax 052-459-3501Fax RD1004 2SC5707 2sK4096 ECH81 rd1004ls 2SK4101 tf252th SFT1443 vf10bm3 RD2006

    2SC3953-SPICE

    Abstract: 2sa1538 spice 2sc3953 spice 2SC5610 MJE-360 2SC4548 2sk4096 2SB631K 2SC5706 equivalent 2SC2911-SPICE
    Text: 12A02CH-SPICE -* SANYO 12A02CH SPICE PARAMETER * .LIB 12A02CH * DATE : 2006/12/26 * Temp = 27 deg .MODEL 12A02CH PNP +NF = 1.0 IS VAF = 110.0f


    Original     		PDF 12A02CH-SPICE 12A02CH 12A02CH 2SB1205 2SB1205 2SC3953-SPICE 2sa1538 spice 2sc3953 spice 2SC5610 MJE-360 2SC4548 2sk4096 2SB631K 2SC5706 equivalent 2SC2911-SPICE

    RD2004

    Abstract: 2SK4087 2SK4097 2sk4086 2SC5707 2sk4096 SBX201C 2SC5706 2sk3615 half-bridge power supply
    Text: ディスクリートデバイス 2009-4 三洋ディスクリートデバイス 環境に配慮した三洋ディスクリートデバイス ECoP R ディスクリートデバイスExPD パワーデバイス）は、 様々な分野の機器の小型化・薄型化・高効率化・高信頼性化に


    Original     		PDF 3LN02M LV2282VA EC2C01C SVC710 SVC707 ECSP1008-2 P124A RD2004 2SK4087 2SK4097 2sk4086 2SC5707 2sk4096 SBX201C 2SC5706 2sk3615 half-bridge power supply

    inverter in 12v DC to 220v AC 400w circuit diagrams

    Abstract: step down chopper tv tube charger circuit diagrams 220v 300w ac regulator circuit 2SC5707 equivalent RD2004 2sc6096 ech8 pattern 2sc5707 Flyback Transformers SANYO TV
    Text: Discrete Devices 2009-5 SANYO Discrete Devices SANYO's environmentally-considered discrete ECoP contributes to the realization of comfortable life in various aspects. Discrete devices and ExPDs power device are environmentally-considered products that well address the needs (small size, low profile, high efficiency & high reliability)


    Original     		PDF EP124A inverter in 12v DC to 220v AC 400w circuit diagrams step down chopper tv tube charger circuit diagrams 220v 300w ac regulator circuit 2SC5707 equivalent RD2004 2sc6096 ech8 pattern 2sc5707 Flyback Transformers SANYO TV

    Flyback Transformers SANYO TV

    Abstract: RD1004 2SC5707 uhf 150w mosfet 12v bfl4006 2SC5706 equivalent Si sw diode 20V 0.2A SOT323 SSFP package BBS3002 tv tube charger circuit diagrams
    Text: Discrete Devices 2010-8 Mobile Equipment • Application Block ■ Charger [GSM, UMTS] Charger DC-DC Converter / Load SW P3 Down Converter Low end P6 5 to 6V 0.5 to 1A CPU AC Adapter AC Adapter [CDMA2000] Q2 Q3 +B D2 Q1 System AC Adapter RF Block Down Converter (High end)


    Original     		PDF CDMA2000] Flyback Transformers SANYO TV RD1004 2SC5707 uhf 150w mosfet 12v bfl4006 2SC5706 equivalent Si sw diode 20V 0.2A SOT323 SSFP package BBS3002 tv tube charger circuit diagrams