mikroelektronik Heft 12
Abstract: mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft leistungstransistoren FZL 4146 profet siemens relais V23162 smd schalter IED01123 BTS612-N1
Text: APPLIKATIONEN LEISTUNGSHALBLEITER Peter Brauschke ● ● ● Intelligente Schalter für Industriesteuerungen Mit steigendem Einsatz der Mikroelektronik, vor allem in der Automatisierungstechnik und Automobilelektronik, werden an Leistungsschalter immer höhere Anforderungen gestellt. Diese sind mit herkömmlichen, elektromechanischen Lösungen oft
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airbag
Abstract: MATSUA RELAIS
Text: Halbleiteranteil wächst überdurchschnittlich Elektronik treibt Kfz-Entwicklung N irgends trifft die Aussage „Ohne Elektronik läuft nichts mehr“ so wörtlich zu wie im Automobil: Seine Weiterentwicklung wird überwiegend von elektrischen und elektronischen Bauelementen und Baugruppen geprägt. Bei Neuwagenvorstellungen beruhen bis zu 90 Prozent
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100Milliarden-DRelais
64-mmKontaktsystem
airbag
MATSUA RELAIS
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Mikroelektronik Elektronische Bauelemente
Abstract: relais siemens AUTORADIO SIEMENS airbag MATSUA RELAIS BTS555
Text: Halbleiteranteil wächst überdurchschnittlich Elektronik treibt Kfz-Entwicklung N irgends trifft die Aussage „Ohne Elektronik läuft nichts mehr“ so wörtlich zu wie im Automobil: Seine Weiterentwicklung wird überwiegend von elektrischen und elektronischen Bauelementen und Baugruppen geprägt. Bei Neuwagenvorstellungen beruhen bis zu 90 Prozent
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100Milliarden-D
Mikroelektronik Elektronische Bauelemente
relais siemens
AUTORADIO SIEMENS
airbag
MATSUA RELAIS
BTS555
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Kondensatoren
Abstract: No abstract text available
Text: Bauelemente Kondensatoren Thomas Dietrich „Kondensator-Power“ für innovative Applikationen Mit 500 000 Lade-/Entladevorgängen und Entladeströmen bis zu 400 A langfristig nutzbar Bisher war die Energiespeicherung in herkömmlichen Kondensatoren aufgrund der geringen Energiedichte unrentabel – angesichts eines Richtwertes von 0,01 Wh/kg
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DIAGRAM plasma TV
Abstract: CDS2C05HDMI1 plasma tv circuit diagram CDS2C
Text: Direct Link 1090 Applications & Cases CeraDioden für HDMI-Schnittstellen Oktober 2007 Keine Chance für ESD EPCOS präsentiert eine CeraDiode als ESD-Schutzbauelement für HDMISchnittstellen von Geräten wie Flachbildfernseher, DVD-Rekorder oder HDTV-Set-Top-Boxen.
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300 volt 5 ampere mosfet
Abstract: BEI Technologies Infineon CoolMOS SPP04N60C2 SPP07N60C2 SPP11N60C2 SPP11N60S5 SPP20N60C2 mikroelektronik applikation
Text: Verdoppelung der Schaltnetzteilen Ausgangsleistung von Die neue Generation CoolMOS C2 und ihre Performance Der Markt der getakteten Stromversorgungen und elektronischer Lampenvorschaltgeräte nimmt rasant zu. Immer höhere Wirkungsgrade und immer kompaktere Aufbauten sind gefragt wie nie zuvor. Verzicht auf Kühlkörper und der Trend hin zu immer höheren Taktfrequenzen zur Reduzierung passiver
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Fachbericht Entwicklungen in der IBV Ein Rückblick nach vorn Entwicklungen der industriellen Bildverarbeitung und deren Einfluss auf heutige Komponenten Die internationale Fachmesse für Bildverarbeitung VISION blickt in diesem Jahr auf eine 25-jährige Erfolgsgeschichte
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DE-01454
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NM6404
Abstract: CS71 fujitsu vliw "frame grabber"
Text: THEMA Bauelemente Der folgende Artikel beschreibt den von RC Module entwickelten 64-bitProzessor NM6404, welcher derzeit in Fujitsu’s 0,25-µm-Technologie implementiert wird. Die Archtitektur eignet sich für die Portierung in Traffic Monitor Systeme, die die Grundlage für
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64-bitProzessor
NM6404,
NM6404.
CE71und
NM6404
CS71
fujitsu vliw
"frame grabber"
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N60S5
Abstract: triac ansteuerung 3.5kw pfc smps 450W 2kw mosfet mos sot223, 300v SPN-25 mosfet 1000v smps 5kw 2kw pfc welding
Text: COOLMOS TM COOLMOSTM von SIEMENS* Ein Quantensprung in der Hochvolt MOSFET-Technologie macht Anwenderträume wahr Lorenz L., März M., Deboy G. Power-MOSFET zählen seit nunmehr 20 Jahren zu den bedeutendsten Komponenten in der Transistorwelt. Mit einem Marktvolumen von 1.4 Mrd. US$ in 1997 und einem prognostizierten
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Tesla katalog
Abstract: exkurs exkurs themenspecial applikation heft mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik heft mikroelektronik Heft 10 Sensoren TRANSISTOR KATALOG
Text: exkuRS Das THEMENSPECIAL der RS Components GmbH 2/96 SENSOREN exkuRS ergleicht man die allgemeine gesellschaftliche Entwicklung mit der technischen Entwicklung in der Elektronik, gibt es durchaus Parallelen: Da ist auf der einen Seite die oft geschilderte
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SKiip 83 EC 125 T1
Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1
Text: 0 Betriebsweise von Leistungshalbleitern Betriebsweise von Leistungshalbleitern 0.1 Elementare Schaltvorgänge Leistungshalbleiter arbeiten bis auf wenige Sonderanwendungen im Schalterbetrieb. Daraus resultieren grundlegende Prinzipien und Funktionsweisen, die in allen leistungselektronischen
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sab 3013
Abstract: IC tda 1571 TDA1506 sab3013 SAA5051 SAB3034 SAF 3019 Tda1533 SAA 1059 valvo halbleiter
Text: Elektronik. Wir bauen die Elemente. V A m Integrierte Schaltungen für die Unterhaltungselektronik Produktprogram m t IT 1. A pril 1983 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich im m er rascher zum Motor für eine
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Vertrieb-117
OT-124
OT-138
OT-150
OT-32
OT-110
OT-131
OT-141
OT-108
OT-109
sab 3013
IC tda 1571
TDA1506
sab3013
SAA5051
SAB3034
SAF 3019
Tda1533
SAA 1059
valvo halbleiter
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: diode BZW 70-20 VEB mikroelektronik Datenblattsammlung mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt"
Text: 9 ¡M i n M W V S I I V I S N l l ¥ a Die vorliegenden Datenblätter dienen als Informationsmaterial für Geräteentwickler und Konstrukteure, Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in "den Listen elektronischer Baulemente eingestuften Sortiments.
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V4019
DDR-1035
Halbleiterbauelemente DDR
diode BZW 70-20
VEB mikroelektronik
Datenblattsammlung
mikroelektronik DDR
aktive elektronische bauelemente ddr
mikroelektronik datenblattsammlung
mikroelektronik applikation
information applikation mikroelektronik
"halbleiterwerk frankfurt"
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b589n
Abstract: B511N information applikation b589 mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik B589nm "Mikroelektronik" Heft aktive elektronische bauelemente ddr applikation heft
Text: r r j f c n B e le l- f t e n o n f l- t Information Applikation raeo [ n n f l k l n i B ] B l B | < t i n a r * < Information Applikation HEÏI 4 4 : B 5 1 1 N Twnperatur-Sensor-IS B 5 8 9 I Bandgap-Referenzepannungaguelle m KAMMER OER TECHNIK Ebvftuu traft« 2, Frankfurt (Od*r
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information applikation
Abstract: transistor vergleichsliste information applikation mikroelektronik c5658c DS8205D mikroelektronik DDR applikation heft VEB mikroelektronik 14-Bit-DAC mikroelektronik applikation
Text: rr uni Information Applikation . m nlkif^eiBktana rTik / Information Applikation H E F T 51 : D/A - Wandler-Famili«H F 0 1988 v b hafcW t r w rk fmkfurfc loömr im v«t>kombinot mlcmiWiti Ontt KAMMER DER TECHNIK Ebartu u traB * 2, Frankfurt O tU r V o rilo n d d«> M iir k n « r b a n d « t
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information applikation
Abstract: information applikation mikroelektronik a2030h Halbleiterbauelemente DDR mikroelektronik applikation A2030 VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation "information applikation" "halbleiterwerk frankfurt"
Text: m ö I k F ^ e le l- c t s n o n ik Information Applikation K»D :z i= ä B lB k c fc 3 n c 3 r iik Information Applikation H e f t : 27 ! Integrierter NF-Verstärker A 2030 H/V veb Halbleiterwerk frankfurt/oder batrSob im veb kcm binat mikroolaktronik Es K A M M E R DER TECHNIK
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C520D
Abstract: D347D D147d information applikation D348D Halbleiterbauelemente DDR "halbleiterwerk frankfurt" lt 8216 diode "Mikroelektronik" Heft applikation heft
Text: E n n f lk ln lä B lQ Information Applikation l- C tS n o r T ik Autoren: Dipl.-Ing. Siegfried Güldner Dipl.-Ing. Henning Zinke Redaktion und Layout: Heinz Schulz Pmachlag: Peter Hoffmann Redakt ionakommi aaion: Heinz Schulz, Vorsitzender Dipl.-Ing. Egbert Knopke
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GPR circuit schematic diagram full
Abstract: SIEMENS 3 TB 40 17 - 0B Siemens Halbleiter Siemens HE 8011 siemens b 58 468 la intel 80 Siemens SAB-C501
Text: Contents General Information Summary of Types incl. Ordering Codes 8-Bit Single-Chip Microcontrollers 16-Bit Single-Chip Microcontrollers Application Notes Instruction Set Summary Hexadecimal Order Package Outlines Summary of Types in Alphanumerical Order
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16-Bit
Ausgabe10
MarketingKommu7-49
GPR circuit schematic diagram full
SIEMENS 3 TB 40 17 - 0B
Siemens Halbleiter
Siemens HE 8011
siemens b 58 468 la intel 80
Siemens SAB-C501
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