xxww
Abstract: No abstract text available
Text: ; 6 A +6 6 8 78 3 2 3 5 3 9 2 2 2 A - 2 3 3 2 23 8# '8# 18 8 $1 '> 1 '> ='$ & 1 '> 79 1 '> +( > (* 1 '> 2 6 7 + ! 33 . 2 ; 2 6 = . 7 + ! 33 -('>4" 23 5 5 7 + ! . . 3
|
Original
|
|
PDF
|
CQYP19
Abstract: No abstract text available
Text: 7-74/3 DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA * CQYP19 SWW 1156-6 Dioda elektroiuminescencyjna plänarna wykonana z ärsenku galu stanowi zrödlo promieniowania podczerwonego iO strumieniu ci^glym lub modulowanym. Stosuje si? w ukladach komutacji i lokacji optycznej, w ukiadach automatycznej regulacji oraz w technice pomiarowej.
|
OCR Scan
|
CQYP19
CQYP19
|
PDF
|
dioda
Abstract: DIODA S 14 CQYP18
Text: 6-74/3 DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA CQYP18 SWW 1156-6 Dioda elektroluminescencyjna wykonana z arsenku galu stanowi zrodlo promieniowania podczerwonego o strumieniu ci^glym lub modulowanym. Stosuje siQ j$ w ukladach komutacji i lokacji optycznej, w ukiadach automatyki i kontroli oraz w technice pomiarowej.
|
OCR Scan
|
CQYP18
dioda
DIODA S 14
CQYP18
|
PDF
|
transoptor
Abstract: CQ11BP CQ11 MOC B
Text: TRANSOPTOR T CQ11BP 11-74/3 SWW 1156-6 Transoptor sklada siQ z dwöch elementöw pölprzewodnikowych: diody elektroluminescencyjnej wykonanej z arsenku galu i fototranzystora krzemowego, sprz^zonych ze sobq optycznie i umieszczonych w obudowie metalowej C 7 — B 1,2 TO-72 .
|
OCR Scan
|
CQ11BP
transoptor
CQ11BP
CQ11
MOC B
|
PDF
|
dioda
Abstract: k 4070 CQYP31 CEMI
Text: 8 -7 4 /3 DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA * CQYP31 SWW 1156-6 Dioda elektrolum inescencyjna ep itak sjaln a z fosforku galu em ituje sw iatlo czerwone. Stosuje siQ w ukladach w skaznik ptyczny. DANE TECHNICZNE w ykonana Dopuszczalne wartosci parametröw eksploatacyjnych
|
OCR Scan
|
CQYP31
dioda
k 4070
CQYP31
CEMI
|
PDF
|
BPYP21
Abstract: CQYP54
Text: OSWIETLACZ ELEKTROLUMINESCENCYJNY * CQYP54 1 0 - 74/3 SWW 1156-6 Oswietlacz elektrolum inescencyjny sklada sie z dziewi^ciu elektrolum inescencyjnych diod p lanarnych w ykonanych z arsenku galu i stanowiqcych zrödia prom ieniow ania podczerwonego. Jest on przeznaczony l^cznie z fototranzystorem BPYP21
|
OCR Scan
|
CQYP54
BPYP21
CQYP54
|
PDF
|
B6V2
Abstract: C6V8 BZYP13-C6V2
Text: 29-74/2 STABILISTOR BZYP 13 SWW 1156-141 S tabilistory krzem ow e ep ip lan arn e przeznaczone do stosow ania w ukladach stabilizacyjnych. T em p eratu ra zi^cza Zakres tem p eratu ry przechow yw ania t} 423 K 150°C tstg 233.373 K ( —40. + 100°C)
|
OCR Scan
|
BZYP13-C6V2
BZYP13-C6V8
BZYP13-B6V2
BZYP13-D6V2
B6V2
C6V8
|
PDF
|
dioda
Abstract: BPYP21 CQYP17
Text: 5-74/3 DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA CQYP17 SWW 1156-6 Dioda elektrolum inescencyjna w ykonana z arsen k u galu stanow i zrodio prom ieniow ania podczerwonego o stru m ieniu ciqglym lub m odulow anym . Z najduje ona zastosow anie p rzy w spölpracy z fo to tra n zystorem BPYP21 jako w skaznik konca tasm y w czytnikach tasm perforow anych oraz w u kladach lokacji optycznej, w ukladach au to m aty k i i k o n troli oraz w tech nice pom iarow ej.
|
OCR Scan
|
CQYP17
BPYP21
dioda
CQYP17
|
PDF
|
Katalog CEMI
Abstract: OA81 diode byp 660-50r Philips BC147 p 181 transoptor Mullard oa81 Hitachi 12V MS 5A-181 OA81 BA102 diode telefunken hr 780 rds
Text: WSTIJP W ydaw nictw a Przem yslu M aszynowego WEMA przekazujq uzytkow nikom branzow y katalog pt. E l e m e n t y pólp rz e w o d n i k o w e , zaw ierajqcy dokladne inform acje techniczne dotycz^ce elem entów pólprzew odnikow ych produkow anych w Polsce n a skal^ przem yslow ^. W szystkie w yroby
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
60Ghz
Abstract: CI 7412 BXYP44
Text: 20-74/2 WARAKTOR BXYP44 SWW 1156-185 W araktor wyfeonany z krzemu, ma dyfuzyjne zl^cze p-n, ktörego pojemnosö zanienia si? pod wplywem przyiozonego napiQcia. Jest on przeznaczony do pracy w mikrofalowych powielaczach cz^stotliwoSci w zakresie pasma S. Obudowa w araktora jest ceramiczno-raetalowa.
|
OCR Scan
|
BXYP44
5060Uâ
60Ghz
CI 7412
BXYP44
|
PDF
|
5v ZENER DIODE
Abstract: No abstract text available
Text: 21-74/2 WARAKTOR BXYP5X SWW 1156-185 W araktor wykonany z krzemu m a dyfuzyjne zlqcze p-n, ktörego pojemno6<5 zmienia si? pod wplywem przylozonego napi^cia. Jest on przeznaczony do pracy w mikrofalowych powielaczach cz^stotliwoSci w zakresie pasm a X. Obudowa w araktora jest ceramiczno-metalowa.
|
OCR Scan
|
gl-74/2
5v ZENER DIODE
|
PDF
|
BXYP43
Abstract: No abstract text available
Text: WARAKTOR BXYP43 19-74/2 SWW 1156-185 W araktor wykonany z krzemu na dyfuzyjne zl^cze p-ri, którego pojemnosé zmienia si$ pod wplywem przylozonego napi^cia. Jest on przeznaczony do pracy w m ikrofalowych powielaczach cz^stotliwosci w zakresie pasma L. Obudowa w araktora jest ceramiczno-metalowa.
|
OCR Scan
|
BXYP43
BXYP43
|
PDF
|
BXYP14
Abstract: No abstract text available
Text: 16-74/2 WARAKTOR BXYP14 SWW 1156-183 W araktor m a dyfuzyjne zl^cze p -n , ktör'ego pojemno£6 zm ienia si§ w zaleznoSci od przylozonego napi^cia. Jest on przeznaczony do pracy w m ikrofalow ych w zm acniaczach param etrycznych jako elem ent czynny. O budowa w -araktora je st ceraimiczno-metalowa.
|
OCR Scan
|
BXYP14
BXYP14
|
PDF
|
L0122
Abstract: diod xm BPYP21 CQYP52
Text: 9-74/3 OSWIETLACZ ELEKTROLUMINESCENCYJNY CQYP52 SWW 1156-6 Oswietlacz elektroluminescencyjny sklada si§ z dziewiQciu elektroluminescencyjnych diod dyfuzyjnych wykonanych z arsenku galu i stanowi^cych zrödla promieniowania podczerwonego. Jest on przeznaczony l^cznie z fototranzystorem BPYP21
|
OCR Scan
|
CQYP52
BPYP21
L0122
diod xm
CQYP52
|
PDF
|
|
|
BPYp 43
Abstract: BPYP22
Text: 2 - 74/3 FOTOTRANZYSTOR * BPYP 22 SWW 1156-242 F ototranzystor krzém ow y p ian arn y n-p-n bez w yprow adzenia bazy jest przeznaczony do p racy w u kladach zdalnego sterow ania, w przetw ornikach analogowo cyfrowych, w ukladach optoelektronicznych zl^cz fonicznych.
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
k 2674
Abstract: tranzystor BFWP21 CE25 T072
Text: TRANZYSTOR BFWP21 * -« « SWW 1156-21 T ranzystor krzem ow y polow y MOS epip lan arn y z k a n a lem typu n zubozanym , z izolowanq bram kq. Jest przeznaczony do stosow ania w e w zm acniaczach i ukladach przeJ^czajijcych m aiej mocy oraz w ukladach o duzej im pedancji wejSciowej.
|
OCR Scan
|
BFWP21
k 2674
tranzystor
BFWP21
CE25
T072
|
PDF
|
CQYP 60
Abstract: BPYP21 7413 CQYP52
Text: FOTOTRANZYSTOR BPYP21 SWW 1156-242 F ototranzystor krzem ow y p lan arn y n-p-n bez w yprow adzenia bazy jest przeznaczony do pracy: w glowicach czytników tasm perforow anych w e w spólpracy z osw ietlaczem CQYP52, w p rzetw ornikach analogow o-cyfrowych, w ukladach optoelektronicznych zlqcz fonicznych
|
OCR Scan
|
BPYP21
CQYP52,
CQYP 60
BPYP21
7413
CQYP52
|
PDF
|
373 ic
Abstract: BFYP99 tranzystor IC350 moc 233
Text: T R A N Z Y S T O R n-p-n * BFYP99 27-74/2 SWW 1156-223 Tranzystor krzemowy epiplanarny przeznaczony do stosowania we wzmacniaczach mocy i generatorach wielkiej cz^stotliwosci. Tranzystor w obudowie metalowej T039 CE23 . Kolektor jest pol^czony elektrycznie z obudow^.
|
OCR Scan
|
BFYP99
373 ic
BFYP99
tranzystor
IC350
moc 233
|
PDF
|
fotodioda
Abstract: No abstract text available
Text: 4 - 74 /3 FOTODIODA FG2 SWW 1156-191 m in. Fotodioda germ anow a je s t stosow ana do przetw arzania sygnal6w Swietlnych na przebiegi elektryczne. Je s t ona przeznaczona do pracy w fotoelektrycznych uklad ach re gulacyjnych i przel^cznikow ych, w uklad ach kontrolnych
|
OCR Scan
|
czerwo-113
20DDU
fotodioda
|
PDF
|
BSXP87
Abstract: T018 p87 npn
Text: T R A N Z Y S T O R n-p-n BSXP87 31'74/2 SWW 1156-223 T ranzystor krzem ow y ep iplanarny przeznaczony do stosow ania w ukladach szybko przelsjczaj^cych m alej i sredniej mocy. K olektor tranzysto ra jest polqczony elektrycznie z obudow^. Napiqcie przebicia
|
OCR Scan
|
BSXP87
BSXP92-94
BSXP87
T018
p87 npn
|
PDF
|
tranzystor
Abstract: BSYP62 BSYP63 T018
Text: 3 3 - 7 4 /2 T R A N Z Y S T O R Y n-p-n BSYP62 i BSYP63 SWW 1156-223 Tranzystory krzemowe epiplaname przeznaczone do stosowania w ukladach przel^czaj^cych malej i Sredniej mocy. Kolektor tranzystora jest pol^czony elektrycznie z obudowq. Tranzystor w obudowie metalowej T018 CE22 . Ko
|
OCR Scan
|
BSYP62
BSYP63
tranzystor
BSYP63
T018
|
PDF
|
BSXP93
Abstract: BSXP92 233k BSXP94 T018 8SXP92-94 MAKS BSXP92-94 BSXP87
Text: 32- 74/2 T R A N Z Y S T O R Y n-p-n BSXP92, BSXP93 i BSXP94 SWW 1156-223 T ranzystory krzem ow e epiplanarne przeznaczone do stosow ania w ukladach szybko przel^czaj^cych m alej i §redniej mocy oraz we w zm acniaczach w ielkiej cz^stotliwosci. K olektor tran zy sto ra je st pol^czony elektrycznie
|
OCR Scan
|
BSXP92,
BSXP93
BSXP94
BSXP92-94
BSXP92
233k
BSXP94
T018
8SXP92-94
MAKS
BSXP92-94
BSXP87
|
PDF
|
BSXP65
Abstract: BSXP66 BSXP67 ti21E Ucesat
Text: T R A N Z Y S T O R Y n-p-n BSXP65, BSXP66 i BSXP67 3°-74/2 SWW 1156-223 Tranzystory krzemowe epiplanarne przeznaczone do uklad6w szybko przel^czaj^cych iredniej mocy oraz do wzmacniaczy m alej i Sredniej cz^stotliwosci. Kolektor tranzystora jest polqczony elektrycznie z obudowq.
|
OCR Scan
|
BSXP65,
BSXP66
BSXP67
BSXP65-Ã
BSXP55-67
BSXP65
BSXP67
ti21E
Ucesat
|
PDF
|
BSXP59
Abstract: BSXP61 Ucesat BSXP60 BSXP59-61 WO30
Text: 29-T4/2 T R A N Z Y S T O R Y n-p-n BSXP59, BSXP60 i BSXP61 SWW 1156-223 Tranzystory krzem ow e epiplanarne przeznaczone do uk lad6w szybko przel^czajqcych sredniej mocy; w szczegolnosci do uk lad6w sterow ania pamiQci ferrytow ych. K olektor tranzystora jest pol^czony elektrycznie z obudow^.
|
OCR Scan
|
BSXP59,
BSXP60
BSXP61
bsxp59
BSXP59-61
BSXP61
Ucesat
BSXP59-61
WO30
|
PDF
|