Please enter a valid full or partial manufacturer part number with a minimum of 3 letters or numbers

    OHR01425 Search Results

    OHR01425 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet
    MFG & Type
    Document Tags
    PDF

    OSRAM IR emitter IRL

    Abstract: GEOY6391 OHFD1422 Q68000-A7852
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A


    Original
    Q68000-A7852 OSRAM IR emitter IRL GEOY6391 OHFD1422 Q68000-A7852 PDF

    GEOY6461

    Abstract: OHLY0598
    Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter IRL 81 A Wesentliche Merkmale • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Klares Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität


    Original
    Q68000-A8000 OHR01425 GEOY6461 PDF

    OHLY0598

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig


    Original
    PDF

    GEOY6391

    Abstract: OHFD1422 LPT80 LPT IC
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit


    Original
    Q68000A7y GEOY6391 OHFD1422 LPT80 LPT IC PDF

    GEOY6461

    Abstract: Q68000-A8000
    Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 LPT 80 A Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Sidelooker, Epoxy • Special: High photosensitivity • Same package as IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A


    Original
    D-93055 PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A


    Original
    Q68000-A7852 Kunstst10 GEOY6391 PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit


    Original
    Q68000A7852 54-oice PDF

    phototransistor NPN

    Abstract: phototransistor 600 nm LAMBDA phototransistor 500-600 nm "IR Emitter" FOTOTRANSISTOR fototransistor led Lambda Semiconductors lichtschranke Lambda 64
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 nm .1100 nm • Gehäuse: Sidelooker, Harz • Besonderheit des Bauteils:


    Original
    PDF

    OSRAM IR emitter IRL

    Abstract: IRL81A
    Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig


    Original
    Q68000A8000 720-IRL81A OSRAM IR emitter IRL IRL81A PDF

    LPT 80 A

    Abstract: GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 IRL80A LPT IC IRL81a
    Text: LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor 16.51 16.00 1.52 1.29 1.14 2.54 2.03 Collector 2.34 2.08 0.64 0.46 4.57 4.32 2.54mm spacing 1.52 5.84 5.59 LPT 80 A 1.70 1.45 1.52 Plastic marking R = 0.76 feo06391 0.64 0.46 GEO06391 Approx. weight 0.2 g


    Original
    feo06391 GEO06391 OHF00344 OHF00342 OHF00345 LPT 80 A GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 IRL80A LPT IC IRL81a PDF

    foto transistor

    Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 LPT 80 A
    Text: LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor 16.51 16.00 1.52 1.29 1.14 2.54 2.03 Collector 2.34 2.08 0.64 0.46 4.57 4.32 2.54mm spacing 1.52 5.84 5.59 LPT 80 A 1.70 1.45 1.52 Plastic marking R = 0.76 feo06391 0.64 0.46 GEO06391 Approx. weight 0.2 g


    Original
    feo06391 GEO06391 OHF00344 OHF00342 OHF00345 foto transistor phototransistor 500-600 nm GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 LPT 80 A PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2008-08-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 LPT 80 A Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 . 1100 nm • Gehäuse: Sidelooker, Harz


    Original
    D-93055 PDF

    fototransistor

    Abstract: fototransistor if Q68000-A8000 IRL81
    Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter IRL 81 A Wesentliche Merkmale • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Klares Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität


    Original
    OHR01425 fototransistor fototransistor if Q68000-A8000 IRL81 PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Klares Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität


    Original
    PDF