OSRAM IR emitter IRL
Abstract: GEOY6391 OHFD1422 Q68000-A7852
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A
|
Original
|
Q68000-A7852
OSRAM IR emitter IRL
GEOY6391
OHFD1422
Q68000-A7852
|
PDF
|
GEOY6461
Abstract: OHLY0598
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter IRL 81 A Wesentliche Merkmale • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Klares Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität
|
Original
|
Q68000-A8000
OHR01425
GEOY6461
|
PDF
|
OHLY0598
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig
|
Original
|
|
PDF
|
GEOY6391
Abstract: OHFD1422 LPT80 LPT IC
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit
|
Original
|
Q68000A7y
GEOY6391
OHFD1422
LPT80
LPT IC
|
PDF
|
GEOY6461
Abstract: Q68000-A8000
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 LPT 80 A Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Sidelooker, Epoxy • Special: High photosensitivity • Same package as IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A
|
Original
|
D-93055
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A
|
Original
|
Q68000-A7852
Kunstst10
GEOY6391
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit
|
Original
|
Q68000A7852
54-oice
|
PDF
|
phototransistor NPN
Abstract: phototransistor 600 nm LAMBDA phototransistor 500-600 nm "IR Emitter" FOTOTRANSISTOR fototransistor led Lambda Semiconductors lichtschranke Lambda 64
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 nm .1100 nm • Gehäuse: Sidelooker, Harz • Besonderheit des Bauteils:
|
Original
|
|
PDF
|
OSRAM IR emitter IRL
Abstract: IRL81A
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig
|
Original
|
Q68000A8000
720-IRL81A
OSRAM IR emitter IRL
IRL81A
|
PDF
|
LPT 80 A
Abstract: GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 IRL80A LPT IC IRL81a
Text: LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor 16.51 16.00 1.52 1.29 1.14 2.54 2.03 Collector 2.34 2.08 0.64 0.46 4.57 4.32 2.54mm spacing 1.52 5.84 5.59 LPT 80 A 1.70 1.45 1.52 Plastic marking R = 0.76 feo06391 0.64 0.46 GEO06391 Approx. weight 0.2 g
|
Original
|
feo06391
GEO06391
OHF00344
OHF00342
OHF00345
LPT 80 A
GEO06391
OHFD1422
Q68000-A7852
IRL80A
LPT IC
IRL81a
|
PDF
|
|
|
foto transistor
Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 LPT 80 A
Text: LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor 16.51 16.00 1.52 1.29 1.14 2.54 2.03 Collector 2.34 2.08 0.64 0.46 4.57 4.32 2.54mm spacing 1.52 5.84 5.59 LPT 80 A 1.70 1.45 1.52 Plastic marking R = 0.76 feo06391 0.64 0.46 GEO06391 Approx. weight 0.2 g
|
Original
|
feo06391
GEO06391
OHF00344
OHF00342
OHF00345
foto transistor
phototransistor 500-600 nm
GEO06391
OHFD1422
Q68000-A7852
LPT 80 A
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2008-08-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 LPT 80 A Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 . 1100 nm • Gehäuse: Sidelooker, Harz
|
Original
|
D-93055
|
PDF
|
fototransistor
Abstract: fototransistor if Q68000-A8000 IRL81
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter IRL 81 A Wesentliche Merkmale • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Klares Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität
|
Original
|
OHR01425
fototransistor
fototransistor if
Q68000-A8000
IRL81
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Klares Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität
|
Original
|
|
PDF
|