GEX06626
Abstract: Q62703-Q1094
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) • Gruppiert lieferbar
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Original
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OHR01733
GEX06626
GEX06626
Q62703-Q1094
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GEX06626
Abstract: Q62703-Q1094 OHR00878 OHR00886
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Area not flat 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position fex06626 Anode 1.8 1.2 29.5 27.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 GEX06626 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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fex06626
GEX06626
TV-s40
OHR00949
OHR01733
GEX06626
Q62703-Q1094
OHR00878
OHR00886
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2010-04-28 GaAlAs Infrared Emitter 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 486 Features: • • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors UL Version available
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Original
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D-93055
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SFH4512
Abstract: 4512
Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 4512 Features: • • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED 5mm plastic package Peak Wavelength 950nm Spectral match with silicon photodetectors High radiant intensity
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950nm
D-93055
SFH4512
4512
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-05-15 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 4512 Features: Besondere Merkmale: • • • • • • • • • • • • Very highly efficient GaAs-LED 5mm plastic package Peak Wavelength 950nm Spectral match with silicon photodetectors
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Original
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950nm
D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) • Gruppiert lieferbar
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Original
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OHR01733
GEX06626
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design opto interrupter
Abstract: Q62703Q1094 GEX06626 OHLY0598 Q62703-Q1094
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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GEX06626
Abstract: OHLY0598 Q62703Q1094 SFH 486
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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SFH 4512
Abstract: 4512 GEXY6713 OHLY0598 OHRD1938
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4512 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 950nm Gute spektrale Anpassung an
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950nm
SFH 4512
4512
GEXY6713
OHLY0598
OHRD1938
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an
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E7517
Q62703Q1094
Q62703Q6175
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) • Gruppiert lieferbar
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OHR01733
GEXY6626
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GEXY6626
Abstract: Q62703-Q1094
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2010-04-28 GaAlAs Infrared Emitter 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 486 Features: • • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors UL Version available
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D-93055
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GEX06626
Abstract: Q62703-Q1094
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Area not flat 1.8 1.2 29.5 27.5 9.0 8.2 7.8 7.5 ø5.1 ø4.8 5.9 5.5 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position fex06626 Anode 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 GEX06626 Approx. weight 0.5 g Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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fex06626
GEX06626
con40
OHR00949
OHR01733
GEX06626
Q62703-Q1094
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