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    SFH485P

    Abstract: OHLPY985
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    Q62703Q0516 720-SFH485P SFH485P OHLPY985 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    Q62703Q0516 PDF

    GEXY6306

    Abstract: OHLY0598
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    Q62703Q0516 PDF

    GEX06306

    Abstract: Q62703-Q516
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 Cathode 3.85 3.35 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 5.0 4.2 0.6 0.4 0.6 0.4 1.0 0.5 Chip position 29 27 fex06306 GEX06306 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


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    fex06306 GEX06306 OHR00949 OHR01893 GEX06306 Q62703-Q516 PDF

    GEX06306

    Abstract: Q62703-Q516 OHR01893
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 29 27 5.9 5.5 0.6 0.4 1.0 0.5 Chip position GEX06306 fex06306 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 Cathode 3.85 3.35 ø5.1 ø4.8 5.0 4.2 0.6 0.4 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


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    GEX06306 fex06306 OHR00949 OHR01893 GEX06306 Q62703-Q516 OHR01893 PDF

    GEX06306

    Abstract: Q62703-Q516
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 29 27 5.9 5.5 0.6 0.4 1.0 0.5 Chip position GEX06306 fex06306 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 Cathode 3.85 3.35 ø5.1 ø4.8 5.0 4.2 0.6 0.4 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


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    GEX06306 fex06306 OHR00949 OHR01893 GEX06306 Q62703-Q516 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 2009-08-21 GaAlAs Infrared Emitter 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 485 P Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors Available on tape and reel (in Ammopack)


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    D-93055 PDF

    GEX06306

    Abstract: Q62703-Q516
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)


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    OHR01893 GEX06306 GEX06306 Q62703-Q516 PDF

    GEXY6306

    Abstract: Q62703-Q516
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)


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    Q62703Q0516

    Abstract: GEXY6306 OHLY0598
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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