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MIP2E4DMY Abstract: MIP2E4D mip* 282 mip2e4 mip2e mip2e4dm Mip2e4dmy equivalent TO-220-A1 Text: インテリジェントパワーデバイス IPD MIP2E4DMY シリコンMOS形集積回路 • 特長 Unit : mm 2.8±0.2 1.5±0.2 15.4±0.3 φ 3.7±0.2 ■ 絶対最大定格 Ta = 25°C ± 3°C 1.4±0.1 定格単位ドレイン電圧 VD 700 V コントロール電圧	Original	PDF	O-220-A1 SLB00030BJD MIP2E4DMY MIP2E4D mip* 282 mip2e4 mip2e mip2e4dm Mip2e4dmy equivalent TO-220-A1

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Abstract: MIP2E4D mip* 282 mip2e4 mip2e mip2e4dm Mip2e4dmy equivalent TO-220-A1
Text: インテリジェントパワーデバイス IPD MIP2E4DMY シリコンMOS形集積回路 • 特長 Unit : mm 2.8±0.2 1.5±0.2 15.4±0.3 φ 3.7±0.2 ■ 絶対最大定格 Ta = 25°C ± 3°C 1.4±0.1 定格単位ドレイン電圧 VD 700 V コントロール電圧

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O-220-A1 SLB00030BJD MIP2E4DMY MIP2E4D mip* 282 mip2e4 mip2e mip2e4dm Mip2e4dmy equivalent TO-220-A1

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