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    TEMPERATUR DDR Search Results

    TEMPERATUR DDR Result Highlights (5)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Download Buy
    TCTH022BE Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Over Temperature Detection IC / VDD=1.7~5.5V / IPTCO=10μA / IDD=11.3μA / Open-drain type / FLAG signal latch function Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TCTH021BE Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Over Temperature Detection IC / VDD=1.7~5.5V / IPTCO=10μA / IDD=11.3μA / Open-drain type Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TCTH011AE Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Over Temperature Detection IC / VDD=1.7~5.5V / IPTCO=1μA / IDD=1.8μA / Push-pull type Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TCTH022AE Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Over Temperature Detection IC / VDD=1.7~5.5V / IPTCO=10μA / IDD=11.3μA / Push-pull type / FLAG signal latch function Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TCTH021AE Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Over Temperature Detection IC / VDD=1.7~5.5V / IPTCO=10μA / IDD=11.3μA / Push-pull type Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

    TEMPERATUR DDR Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type Document Tags PDF

    AS8C801801

    Abstract: AS8C803601
    Text: 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs ZBT™ Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs AS8C803601 AS8C801801 Address and control signals are applied to the SRAM during one clock cycle, and two cycles later the associated data cycle occurs, be it read or write.


    Original     		AS8C803601 AS8C801801 AS8C803601/801801 150MHz AS8C801801 PDF

    STk 412 120

    Abstract: abe 433 STK 412 150 M STK 412 150 STK 412 240 M STK 412 240 SC70-Geh ZU SOT23-3 NIE sot23 stk 412 - 240
    Text: REFERENCE Datenblätter • ANALOG 11 DESIGN GUIDE Anwendungsbeispiele • Kostenlose Muster Erste Spannungsreferenz im SC70-Gehäuse reduziert den Platzbedarf um 50% NEU Maxim’s LM4041 im SC70-Gehäuse ist halb so groß wie ein entsprechender Baustein von National!


    Original     		SC70-Geh LM4041 SC70-3 OT23-3 LM4041 LM4040/LM4041 OT23-Geh STk 412 120 abe 433 STK 412 150 M STK 412 150 STK 412 240 M STK 412 240 ZU SOT23-3 NIE sot23 stk 412 - 240 PDF

    LSISAS1078

    Abstract: sgpio SFF8087
    Text: Produktübersicht MegaRAID SAS 8708EM2 Acht-Port 3Gb/s PCI Express SAS/SATA RAID-On-Chip-Adapter Schützen Sie wichtige Geschäftsdaten mit den marktführenden SAS/SATA RAID-Adaptern HAUPTVORTEILE n n MERKMALE n Acht interne SAS/SATA-Ports n Zwei Mini-SAS 4i-Anschlüsse


    Original     		8708EM2 LSISAS1078-Storage-Prozessor 667MHz SFF8087) LSISAS1078 500MHz sgpio SFF8087 PDF

    CM320200DE

    Abstract: CM3202-00DE mo-229 pad layout MARKING 3D regulator MARKING 3D regulator 5V 1N914 CM3202 CM3202-00SM MO-229 CM3202-00DE equivalent
    Text: PRELIMINARY CM3202 DDR VDDQ and Termination Voltage Regulator Features Product Description • The CM3202 is a dual-output low noise linear regulator designed to meet SSTL-2 and SSTL-3 specifications for DDR-SDRAM VDDQ supply and termination voltage VTT supply. With integrated power MOSFET’s, the


    Original     		CM3202 CM3202 500mV CM320200DE CM3202-00DE mo-229 pad layout MARKING 3D regulator MARKING 3D regulator 5V 1N914 CM3202-00SM MO-229 CM3202-00DE equivalent PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
    Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


    OCR Scan     		6x10x12 Halbleiterbauelemente DDR Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


    OCR Scan     		DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170 PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: sy 170 diode sy-180 diode sy 171 10 diode sy-170 mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik SY 180 Applikation Information
    Text: m o ß ^ t s ie le l- c ia n o r ill- i Information Applikation INFORMATION A PPLIKA TIO N M IK R O E L E K T R O N IK Heft 16: L E IS T U N G S -E L E K T R O N IK II Bauelemente-Sortiment der DDR -Teil 1: Dioden- VEB GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF im VEB Kombinat Mikroelektronik


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    b589n

    Abstract: B511N information applikation b589 mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik B589nm "Mikroelektronik" Heft aktive elektronische bauelemente ddr applikation heft
    Text: r r j f c n B e le l- f t e n o n f l- t Information Applikation raeo [ n n f l k l n i B ] B l B | < t i n a r * < Information Applikation HEÏI 4 4 : B 5 1 1 N Twnperatur-Sensor-IS B 5 8 9 I Bandgap-Referenzepannungaguelle m KAMMER OER TECHNIK Ebvftuu traft« 2, Frankfurt (Od*r


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR
    Text: ErïrûDEko^^elel-cbnanikc Information Applikation BAUELEMENTE DER I LEISTUNGSELEKTRONIK 3 Autor: Ing. Lutz Ehrhardt, Stahnsdorf Redaktion und Layout: Ing. Lutz Ehrhardt Heinz Schulz Umschlag: Peter Hoffmann RedaktionsKommission: Heinz Schulz, Vorsitzender


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    transistor kp 303

    Abstract: KP303A Datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik DDR D818G KP307A Thyristor T6N KP303D
    Text: In n lD ÍN S r ^ e l e k t r o n l k - B a u e l e m e n t e Mir I r dei Dienstgebrauch !ä SS fil I f ! DATENBLATTSAMMUJNG :Jjj§ •■tai elektronische bauelem ente ìm m ttí H : ■ 51 52 mm i l 11 iS Mm L Â | B « : i ms 1 -% 11 ■IP & 1'86 Die vorliegenden Datenblatt®r d i e n m nur zojp Information« Sie


    OCR Scan     		DDR-1035 1/86i 2/84s transistor kp 303 KP303A Datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik DDR D818G KP307A Thyristor T6N KP303D PDF

    kt829a

    Abstract: VEB mikroelektronik Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR information applikation mikroelektronik B4207D mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik DDR "halbleiterwerk frankfurt" KT 829 b
    Text: 0=¡rúl[hE=°@Blel- t3nariilK e le k t r o n ik - b a u e t e m e n t e Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elek­ tronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" (LEB


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    D147D

    Abstract: C520D vqb 71 VQB71 D347D d348d VQE23 D346D Halbleiterbauelemente DDR VQE24
    Text: electronica ] Nullpunktabgleich [T j ~8~| Nullpunktabgleich | Eingang L [ u Masse l i Eingang H T I Betriebsarten - Umschaltung T ] LSD ( letztes Digit) integrations-C f/2 Endwertabgleich \l3 MSD (höchstwertiges Digit) Betriebsspannung Us Z I BCD-Ausgang OC


    OCR Scan     		C520D D147D C520D vqb 71 VQB71 D347D d348d VQE23 D346D Halbleiterbauelemente DDR VQE24 PDF

    information applikation

    Abstract: information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation applikation heft A109D mikroelektronik DDR a 109 opv VEB mikroelektronik schaltungen 861 TAA 761 A
    Text: m D ^ a r ^ i e l e l Information Applikation - c t e n a n i l - c m ik ^ o e le k t3r*anik Information Applikation Heft 22: OPERATIONS-VERSTÄRKER- IS Teil 2 veb halbleiterwepk fran k fu rt/o d er im v e b k o m b i n a t m ik ro e le k tro n U c KAMMER DER TECHNIK


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    WF Berlin

    Abstract: DA 2045 "WF Berlin"
    Text: ELEKTRONENRÖHREN B 23 M 1*' BILDROHRE in Fernsehempfängern für direkte Betrachtung Sockelschaltschema Kolben Allglasausführung max. Bildgröße 135 X 180 mm Leuchtfarbe des Schirmes weißlich Fokussierung elektromagnetisch Ablenkung elektromagnetisch * Röhre so ll nur noch fü r a u sla u fe n d e Produktion und N achbestückung


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    GBR111

    Abstract: Relais RGI tgl 200-3796 ddr veb TGL24 Scans-048 AU66 relais 154 TGL DDR der ddr
    Text: Elektromagnetische Relais der Informationstechnik Relais NSF 30 Relais NSF 30 nach T G l 200-3796 gehören zu einer inter­ national weit verbreiteten und bewährten Ausführung von K leinrelcis. Vom Konstrukt'onsprinzip her sind sie den Kloppankerrelais zuzuordnen. Aufgrund der charakteristi­


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    ker 221

    Abstract: elektronik DDR L8853 ddr veb hermsdorf Filter Hermsdorf Deutsche Post Scans-048 nf schaltungen bauelemente DDR
    Text: K > A U S G A B E 1965 Abbildungen und W e rte gelten nur bedingt als Unterlagen für Bestellungen. Rechtsverbindlich Ist |eweils die Auftragsbestätigung. Änderungen Vorbehalten. E x p o r t e u r : Heim electric, Deutsche Export- und Importgesellschaft m .b .H ., 102 Berlin 2, Liebknechtstraße 14, DDR


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 6427525 N E C ELECTRONICS tiME75E!5 O G l f i W INC 9ÔD 18989 D -f- 3 ? W 3 1 |~ -••\.vs't.¿V-.-s:>•■*. V i r - v ,.-'•; - ? % § < , & V-ïÿ' ELECTRON DEVICE M O S " F I E L D ' 'E F F E~C T " T R Ä N S I S T 0 ?.~ /' • 2 S K F A S T


    OCR Scan     		tiME75E h427sa5 T-39-13 PDF

    B084D

    Abstract: DL074D 74LS74N transistor vergleichsliste TRANSISTOR 132D VEB mikroelektronik schlenzig B4761D B761D B176D
    Text: Neue Halbleiterbauelemente KLAUS SCHLENZIG/ DIETER JUNG Operations­ verstärker LowPower- SchottkyReihe KLAUS SCHLENZIG/DIETER JUNG Neue Halbleiter­ bauelemente Operationsverstärker und Low-Power-Schottky-Reihe Militärverlag der D eutschen Demokratischen


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    selen-gleichrichter

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR selengleichrichter selenkleinstgleichrichter "halbleiterwerk frankfurt" Kombinat VEB A 301 RG 403 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt ddr veb
    Text: CD AUSGABE GO 1971 I 5 2 CD • M H CD CD CD ■ SELEN­ FREIFLÄCHEN­ GLEICHRICHTER Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder Gleichrichterwerk Großräsdien Information 20-1-71 Änderungen der allgemeinen und tech­ nischen Angaben, die durch die Weiter­


    OCR Scan     		59/71/D selen-gleichrichter Halbleiterbauelemente DDR selengleichrichter selenkleinstgleichrichter "halbleiterwerk frankfurt" Kombinat VEB A 301 RG 403 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt ddr veb PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
    Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen­ arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der


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    diode SY 192

    Abstract: KP902A Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik transistor kp mikroelektronik datenblattsammlung "halbleiterwerk frankfurt" KP306a mikroelektronik DDR
    Text: . • M ' - l ä r o u jk 1 U ’i m - í!Í'.>. "lA T T S A M M . 'Q elektronische Bauelemente IWT iO 1/87 I# %# S Die vorliegenden Datenblätter dienen nur zur Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente eingestuften Sortiments«


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    Relais ITT

    Abstract: DIODE 5TE elektronik DDR bauelemente DDR VEB M ik ro e le k tro n ik VEB Kombinat Transistoren DDR TRANSISTOR KATALOG translog Kombinat VEB A 281
    Text: KOMBINAT VEB ELEKTRO- APPARATE - WERKE BERLIN-TREPTOW O ursalog G Digitale Bausteine M odul 20 In h a ltsverzeich n is Seite Allgemeine Übersicht Konstruktiver und funktioneller Aufbau Systemparameter Zusammenschaltregeln Betriebsdaten ursamat Gefäßsystem


    OCR Scan     		EEL52F Relais ITT DIODE 5TE elektronik DDR bauelemente DDR VEB M ik ro e le k tro n ik VEB Kombinat Transistoren DDR TRANSISTOR KATALOG translog Kombinat VEB A 281 PDF

    KM684000ALG-7L

    Abstract: KM684000ALT-5L km684000alg KM684000ALP-5L 32SOP KM684000ALP-5 KM684000ALP-7 KM684000ALP-7L
    Text: KM684000A Family CMOS SRAM 512K x8 bit Low Power CMOS Static RAM FEATURES GENERAL DESCRIPTION • Process Technology : 0.4nm CMOS • Organization: 512Kx8 • Power Supply Voltage: Single 5V±10% • Low Data Retention Voltage: 2V Min » Three state output and TTL Compatible


    OCR Scan     		KM684000A 512Kx8 32-DIP-600 32-SOP-525, 32-TSQP2-400F/R KM684Q00A KM684000ALG-7L KM684000ALT-5L km684000alg KM684000ALP-5L 32SOP KM684000ALP-5 KM684000ALP-7 KM684000ALP-7L PDF

    MSD 7818

    Abstract: MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN
    Text: In n in ik ü r Q fâ lI Information Applikation RGW Typen­ übersicht + Vergleich TeiM UdSSR JitfÆÊL JUUUUUUL&JJJUL i m i n i ^ r ^ c z l c i c b p o n Information Applikation , 9 H E F T 4 9 * R G W T y p e n ü b e r s i c h t + V e r g l e i c h Teil 1


    OCR Scan     		6250b MSD 7818 MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN PDF