MMBTA05
Abstract: MMBTA06 MMBTA55 MMBTA56
Text: MMBTA55 . MMBTA56 MMBTA55 . MMBTA56 General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz PNP PNP Version 2006-08-09 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 1.1 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse
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Original
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MMBTA55
MMBTA56
OT-23
O-236)
UL94V-0
MMBTA05,
MMBTA05
MMBTA06
MMBTA55
MMBTA56
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reedrelais
Abstract: zu 109 reedschalter
Text: MEDER electronic REEDSCHALTER IN RELAIS Der Reedschalter als Schaltelement in einem Reedrelais Wird der Reedschalter in einem Reedrelais verwendet, erzeugt man das Magnetfeld durch eine Kupferspule. Abb. # 1 zeigt die einfache Wirkungsweise. Reedrelais benötigen in der Regeleine relativ geringe Steuerleistung und können durch Transistoren, TTL-Logik oder
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Original
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PN2907A
Abstract: 2N2907A 2N2907A die 10D3 2N2222A PN2222A 2n2222a to 92 TO-92 Gehause 2N2907A plastic
Text: PN2907A / 2N2907A PN2907A / 2N2907A General purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz PNP PNP Version 2005-11-21 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 E BC 2 x 2.54 Dimensions / Maße [mm] 625 mW
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Original
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PN2907A
2N2907A
UL94V-0
PN2222A
2N2222A
2N2907A
2N2907A die
10D3
2N2222A
2n2222a to 92
TO-92 Gehause
2N2907A plastic
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2N5401
Abstract: 2N5400 10D3 2N5550 2N5551
Text: 2N5400 / 2N5401 2N5400 / 2N5401 General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz PNP PNP Version 2006-06-17 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 CBE 2 x 2.54 Dimensions - Maße [mm] 625 mW Plastic case
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2N5400
2N5401
UL94V-0
2N5400
2N5550
2N5551
2N5401
10D3
2N5551
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CFY19-22
Abstract: CFY19 Dual-Gate* bf981 bf987
Text: "sIEMENS AKTIENGESELLSCHAF bOE I> • SEBSbDS DDS1M7M S34 «SIEfi 'T'dó'M SIEMENS Transistoren Transistors MOS Feldeffekt-Transistoren Type MOS Field-Effect Transistors Maximum Ratings Characteristics TA= 25° C ^ds V ¡d mA P,o. G ps mW dB ' * I' c' ' '
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BF930
BF994S
BF996S
BF998
BF1012
CF739
CF750
OT-143
CFY19-18
CFY19-22
CFY19
Dual-Gate* bf981
bf987
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF LOE ]> • 023SbOS G D S m ? S M7D I1SIE6 SIEMENS Transistoren Transistors AIGaAs/GaAs HEMTs AIGaAs/GaAs HEMTs Characteristics TA = 25° C Maximum Ratings E mW 9m mS 70 180 40 ¿> P o Type 70 180 40 -3.0.0 60 180 50 70 200 40
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023SbOS
CGY50
OT-143
CGY40
CLY10
CGY52
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der
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tfk 731
Abstract: N100700 bcy 79 BCY58 BCY 65 BCY 59
Text: BCY 58 • BCY 59 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: Allgem ein und NF-Verstärker Applications: General and AF am plifiers Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 1 W 0 Power dissipation 1 W
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mosfet bf 966
Abstract: smd bf BF965 BF963 Marking fs sot mg sot-143 BF964S marking 16 sot143 BF96
Text: -T -3 I-Ä S SIEMENS AKTIENGESELLSC HAF ÖE3SbOS GDSb27'i 4 « S I E G M7E » HF-MOS-Transistoren / RF MOS Transistors N-Channel MOSFET Tetrodes Plastic Package Type Max. ratings Characteristics CO Ï? P.O. G ps > mA mW mS Package Fig. F dB V mA f MHz dB 16.5
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GDSb27
BF965
OT-143
OT-142
OT-23
mosfet bf 966
smd bf
BF963
Marking fs sot
mg sot-143
BF964S
marking 16 sot143
BF96
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103MA
Abstract: 1D2 SOT-23 BCW68 BCW58 BCW57A BCW57 OES45 JR-101
Text: BCW 67 BCW 68 PIMP-Transistoren für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen BCW 67 und BCW 68 sind epitaktische PNP-Silizium -Planar-Transistoren m it Plastikum hüllung 23 A 3 DIN 41 86 9 S O T -2 3 für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen. Sie
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OT-23)
BCW68
Q62702-C463
Q62702-C464
Q62702-C465
Q62702-C466
Q62702-C467
103mA
1D2 SOT-23
BCW58
BCW57A
BCW57
OES45
JR-101
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transistor B 560
Abstract: TRANSISTOR BC 136 BC560 TRANSISTOR BC 560 TRANSISTOR BC 135 IC 7414 transistor c-133 2493 transistor transistor Bc 82 ic 7414 cm
Text: BC 559 * BC 560 Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon PNP Epitaxial Planar AF Transistors Anwendung: Rauscharme Vorstufen Application: Low noise prestages Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 500 m W • Power dissipation 500 m W
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TFK BC
Abstract: TFK 110 TFK 309 TFK 727 tfk 4 309 tfk 238 BC109 tfk bc108 BC107 TFK 330
Text: BC 107 • B C 1 0 8 - B C 109 BC 237 • BC 238 • BC 239 'W Silizium-NPN-Epitaxial -Planar NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendungen: NF-Vor- und Treiberstufen A p p lic a tio n s : AF pre and driver stages Features: Besondere Merkmale:
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BC108
BC109
TFK BC
TFK 110
TFK 309
TFK 727
tfk 4 309
tfk 238
BC109
tfk bc108
BC107
TFK 330
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BDY 12 BDY13 Sta tisc h e Ken ndaten TQ = 25 °C Die Transistoren B D Y 12 und B D Y 13 werden bei /c = 1 A und UCE = 1 V nach der statischen Stromverstärkung gruppiert und mit Zahlen der DIN-R-5-Normenreihe gekenn zeichnet. Für folgende Arbeitspunkte gilt:
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BF259
Abstract: bf 233 BF257 BF 235 BF258 BF258-BF259 bf 258 bf 236 A1233
Text: Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: Video-Endstufen in Schwarz-Weiß- und Farb-FS-Empfängern. Schaltungen mit hoher Betriebsspannung Applications: Video power stages in black and white and colour TV receivers.
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2N929
Abstract: 2N930 929-2N
Text: 2 N 929 • 2 N 930 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendungen: Rauscharme NF-Verstärker Applications: Low noise AF am plifiers Besondere Merkmale: Features: • Besonders rauscharm bei kleinen Kollektorström en
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103MA
Abstract: Q62901-B1 transistor ACY PNP Q60103-Y32-F ACY 23 V legiert
Text: ACY 23 ACY 32 PIVIF’-Transistoren fü r NF-Vorstufen ACY 23 und ACY 32 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 1 A 3 DIN 41 871 TO-1 ähnl. . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet. Die Transistoren sind besonders
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Q60I03-Y23-E
Q60I03-Y23-F
Q60130-Y32-E
Q60103-Y32-F
Q62901-B1
/ACY32
101mA
103MA
Q62901-B1
transistor ACY PNP
Q60103-Y32-F
ACY 23 V
legiert
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BD185
Abstract: BD189 2DIN125A din 125a 187BD BD188 c 36 to bd 25 m BD190
Text: w BD185 • BD187 - BD189 Silizium-NPN-Epibasis-Transistoren Silicon NPN Epibase Transistors Anwendungen: Audio-Verstärker, -Treiber und -Endstufen Applications: Audio amplifier, driver and output stages Besondere Merkmale: Features: • Hohe Spitzenleistung
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BC160
Abstract: bc 160 BC161 TFK BC TFK 175 TFK 236 bc 141
Text: ip ^ B C 160- BC 161 Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon PNP Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: NF-Verstärker und Schalter Applications: AF am plifiers and switches Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 3,2 W • Power dissipation 3.2 W
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BCY 59
Abstract: BCY 12 BCY58X BCY 85 BCY59 BCY59X BCY58 BCY58-VIII Ucesat BCY 58
Text: N P N -Transistoren fü r N F -V o r- und T re ib erstu fen sow ie S ch alteran w en dungen - BCY 58 BCY 59 BCY 65 E BCY 58, BCY 59 und BCY 65 E sind epitaktische NPN-Silizium -Planar-Transistoren im Gehäuse 18 A 3 DIN 41 876 T O -1 8 . Der Kollektor ist m it dem Gehäuse elektrisch ver
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Q60203-
BCY 59
BCY 12
BCY58X
BCY 85
BCY59
BCY59X
BCY58
BCY58-VIII
Ucesat
BCY 58
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transistor BC 549
Abstract: transistor BC 550 TRANSISTOR BC 550 c TRANSISTOR BC 550 b TFK BC BC549 BC550 TRANSISTOR BC 135 BE550 TRANSISTOR BC 620
Text: BC 549 - BC 550 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendung: Rauscharme V orstufen Application: Low noise prestages Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 500 mW • Power dissipation 500 m W
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BF679
Abstract: BF679S bf 679
Text: BF 679 S Silizium-PNP-HF-Transistoren Silicon PNP RF Transistors Anwendungen: R egelbare U HF/VH F-Eingangsstufen Applications: G ain controlled UHF/VHF input stages Besondere Merkmale: Features: • Hohe Verstärkung • H igh pow e r gain • Kleine R auschzahlen
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-30dBGpb
BF679
BF679S
bf 679
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BFX59
Abstract: Transistor BFX 25 BFX59F
Text: B F X 59 B F X 59 F N PIM -Transistoren fü r Treiber- und Endstu fen in A ntennenverstärkern BFX 59 und BFX 59F sind epitaktische NPN-Silizium-Planar-HF-Transistoren im Gehäuse 1 8 A 4 DIN 41876 TO-72 . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Die Tran
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Q60206-X59
Q60206-X59-S5
BFX59
Transistor BFX 25
BFX59F
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MEM511
Abstract: MEM511C diode a60 MEM556 mem556c 2N4120 517C 520C 556C MEM561C
Text: OS TRANSISTOREN P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS V br oss V(br) gss Volts V( br) dg Min Volts Min Volts Min Power Dis. 25°C Amb mW Max -30 -2 5 —30 -3 0 -3 0 -2 5 -3 0 -2 5 -5 0 -4 5 -3 5 -3 0 -3 0 -2 5 -2 5 -2 0 -3 0 -4 0 -4 0 -4 0 -4 0 -3 5 -3 0 -4 5
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF bOE D • ÖE3Sb05 O O S m V b 3G7 HISIE6 SIEMENS ^ 3 / - 0/ Transistoren Transistors HF-Transistoren Maximum Ratings ^CEO h Plot V mA mW Chariicteristics rA =25°C F Gp h le ^CE f GHz dB mA V MHz dB Package h mA LU Type N=NPN P=PNP
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E3Sb05
BF517
BF550
BF554
BF569
OT-143
BFQ82
BFQ196
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