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    CPH6621

    Abstract: No abstract text available
    Text: CPH6621 Ordering number : ENA0847 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH6621 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol


    Original
    PDF CPH6621 ENA0847 900mm20 A0847-4/4 CPH6621

    A0849

    Abstract: SS10015M VEC2820
    Text: VEC2820 注文コード No. N A 0 8 4 9 三洋半導体データシート N VEC2820 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオード SS10015M を 1 パッケージに内蔵した複


    Original
    PDF VEC2820 SS10015M) 900mm2 60607PE TC-00000736 A0849-1/6 IT07152 IT07153 A0849 SS10015M VEC2820

    CPH6621

    Abstract: No abstract text available
    Text: CPH6621 Ordering number : ENA0847 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH6621 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol


    Original
    PDF CPH6621 ENA0847 900mm20 A0847-4/4 CPH6621

    VEC2606

    Abstract: No abstract text available
    Text: VEC2606 Ordering number : ENA0856 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2606 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Best suited for inverter applications. Low ON-resistance. The VEC2606 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET thereby enabling high-density mounting.


    Original
    PDF VEC2606 ENA0856 VEC2606 A0856-6/6

    SS10015M

    Abstract: VEC2820
    Text: VEC2820 Ordering number : ENA0849 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2820 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M contained in one


    Original
    PDF VEC2820 ENA0849 SS10015M) A0849-6/6 SS10015M VEC2820

    VEC2606

    Abstract: A0856
    Text: VEC2606 注文コード No. N A 0 8 5 6 三洋半導体データシート N VEC2606 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗。


    Original
    PDF VEC2606 900mm2 900mm2 IT12562 IT12563 A0856-6/6 VEC2606 A0856