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    Semiconductor Circuits

    Abstract: diode p1000 P1000 diode Q62702-P178 Q62702-P180 Q62702-P997 SFH 309 FA V fototransistor led npn phototransistor sfh 309 Q62702-P999
    Text: SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA feo06653 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor ø3.1 ø2.9 1.8 3.5 1.2 29 6.3 27 5.9 0.6 0.4 4.0 3.6 Chip position GEO06653 feof6653 Collector (Transistor) Cathode (Diode) 0.7 0.4 2.54 mm spacing 0.8


    Original     		feo06653 GEO06653 feof6653 OHF01527 OHF01530 IPCE/IPCE25o OHF01528 OHF01524 Semiconductor Circuits diode p1000 P1000 diode Q62702-P178 Q62702-P180 Q62702-P997 SFH 309 FA V fototransistor led npn phototransistor sfh 309 Q62702-P999 PDF

    npn phototransistor sfh 309

    Abstract: Q62702-P859 Q62702-P941 Q62702-P998 Q62702-P999 Q62702-P178 Q62702-P180 SFH 309 FA SFH 309-3/4
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm SFH 309 und bei 880 nm (SFH 309 FA) • Hohe Linearität • 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse


    Original     		GEO06653 npn phototransistor sfh 309 Q62702-P859 Q62702-P941 Q62702-P998 Q62702-P999 Q62702-P178 Q62702-P180 SFH 309 FA SFH 309-3/4 PDF

    Q62702-P216

    Abstract: SFH 229 GEO06653 Q62702-P215 sfh diode
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA SFH 229 SFH 229 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm SFH 229 und bei 880 nm (SFH 229 FA)


    Original     		GEO06653 Q62702-P216 SFH 229 GEO06653 Q62702-P215 sfh diode PDF