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VEC2803 Abstract: No abstract text available Text: VEC2803 Ordering number : ENN8202 VEC2803 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package	Original	VEC2803 ENN8202 VEC2803	PDF
VEC2803 Abstract: No abstract text available Text: VEC2803 注文コード No. N 8 2 0 2 三洋半導体データシート N VEC2803 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用。	Original	VEC2803 900mm2 12505PE TB-00001017 IT08214 IT08216 IT07948 VEC2803	PDF
diode sy 710 Abstract: VEC2814 Text: VEC2814 Ordering number : ENA0390B SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package	Original	VEC2814 ENA0390B A0390-6/6 diode sy 710 VEC2814	PDF
"Marking SC" Abstract: SS1003M Text: SS1003M Ordering number : ENN8347 SS1003M Schottky Barrier Diode 30V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Small Switching noise. Low forward voltage(IF=500mA, VF max=0.39V) (IF=1A, VF max=0.45V).	Original	SS1003M ENN8347 500mA, "Marking SC" SS1003M	PDF
VEC2812 Abstract: No abstract text available Text: VEC2812 注文コード No. N A 0 3 9 2 三洋半導体データシート N VEC2812 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用。	Original	VEC2812 900mm2 N0806PE TC-00000280 A0392-1/5 IT08214 IT08216 IT07948 VEC2812	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: VEC2814 Ordering number : ENA0390 VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package	Original	VEC2814 ENA0390 A0390-6/6	PDF
VEC2814 Abstract: No abstract text available Text: VEC2814 Ordering number : ENA0390A SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package	Original	VEC2814 ENA0390A A0390-6/6 VEC2814	PDF
VEC2814 Abstract: No abstract text available Text: VEC2814 注文コード No. N A 0 3 9 0 B 三洋半導体データシート半導体データシート No.NA0390A をさしかえてください。 VEC2814 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード	Original	VEC2814 NA0390A 900mm2 N0106 TC-00000301 42506PE TB-00002243 A0390-1/6 N1407 VEC2814	PDF
SS1003M Abstract: No abstract text available Text: SS1003M 注文コード No. N 8 3 4 7 三洋半導体データシート N SS1003M ショットキバリアダイオード 30V1A 整流素子用途・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。	Original	SS1003M 30V1A 500mA, 500mA 100mA, 600mm2 62797GI TB-00001441 61005SB SS1003M	PDF
VEC2812 Abstract: No abstract text available Text: VEC2812 Ordering number : ENA0392 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package	Original	VEC2812 ENA0392 A0392-6/6 VEC2812	PDF