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    SCH1311

    Abstract: 2221A IT0815
    Text: SCH1311 Ordering number : ENN8102 P-Channel Silicon MOSFET SCH1311 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol


    Original     		PDF SCH1311 ENN8102 900mm2 SCH1311 2221A IT0815

    SCH1304

    Abstract: No abstract text available
    Text: SCH1304 Ordering number : ENN8100 P-Channel Silicon MOSFET SCH1304 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol


    Original     		PDF SCH1304 ENN8100 900mm2 SCH1304

    SCH1404

    Abstract: No abstract text available
    Text: SCH1404 注文コード No. N 8 1 0 3 三洋半導体データシート N SCH1404 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。


    Original     		PDF SCH1404 900mm2 IT02946 900mm2 IT08156 IT08147 SCH1404

    SCH1411

    Abstract: No abstract text available
    Text: SCH1411 注文コード No. N 8 1 0 4 三洋半導体データシート N SCH1411 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・4V 駆動。


    Original     		PDF SCH1411 900mm2 IT02715 IT02713 900mm2 IT08159 IT08147 SCH1411

    MARKING KL

    Abstract: SCH1411
    Text: SCH1411 Ordering number : ENN8104 N-Channel Silicon MOSFET SCH1411 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions


    Original     		PDF SCH1411 ENN8104 900mm2 MARKING KL SCH1411

    SCH1404

    Abstract: 81031 marking kd
    Text: SCH1404 Ordering number : ENN8103 N-Channel Silicon MOSFET SCH1404 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol


    Original     		PDF SCH1404 ENN8103 900mm2 SCH1404 81031 marking kd

    SCH1306

    Abstract: No abstract text available
    Text: SCH1306 Ordering number : ENN8101 P-Channel Silicon MOSFET SCH1306 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol


    Original     		PDF SCH1306 ENN8101 900mm2 SCH1306

    SCH1306

    Abstract: No abstract text available
    Text: SCH1306 注文コード No. N 8 1 0 1 三洋半導体データシート N SCH1306 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。


    Original     		PDF SCH1306 900mm2 500mA 500mA, 300mA, --10V IT03507 900mm2 SCH1306

    SCH1311

    Abstract: No abstract text available
    Text: SCH1311 注文コード No. N 8 1 0 2 三洋半導体データシート N SCH1311 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。


    Original     		PDF SCH1311 900mm2 IT02749 IT02748 --15V --10V IT02746 900mm2 IT08153 SCH1311

    SCH1304

    Abstract: No abstract text available
    Text: SCH1304 注文コード No. N 8 1 0 0 三洋半導体データシート N SCH1304 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。


    Original     		PDF SCH1304 900mm2 --10V IT03229 900mm2 IT08150 IT08147 SCH1304